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參數(shù)資料
| 型號： | IC43R16160 |
| 英文描述： | 4M x 16 Bit x 4 Banks (256-MBIT) DDR SDRAM |
| 中文描述： | 4米× 16位× 4個銀行（256兆）DDR SDRAM內(nèi)存 |
| 文件頁數(shù)： | 44/56頁 |
| 文件大小： | 1271K |
| 代理商： | IC43R16160 |
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The above characteristics are specified under best, worst and normal process variation/conditions
Figure 36 - DATA INPUT (WRITE) TIMING
DI
n
= Data In for column
n
Burst Length = 4 in the case shown
3 subsequent elements of Data In are applied in the programmed
order following DI
n
Figure 37 - DATA OUTPUT (READ) TIMING
1. tDQSQ max occurs when DQS is the earliest among DQS and DQ signals to transition.
2. tDQSQ min occurs when DQS is the latest among DQS and DQ signals to transition.
3. tDQSQ nom, shown for reference, occurs when DQS transitions in the center among DQ signal transitions.
DON'T CARE
DQ
DM
DQS
DI
n
tDS
tDH
tDS
tDH
tDSL
tDSH
t
min
DQSQ
t
max
DQSQ
DQ
DQS
t
min
DQSQ
t
max
DQSQ
t
nom
DQSQ
Burst Length = 4 in the case shown
DQS, DQ
IC4
3R16160
4
4
Integrated Circuit Solution Inc.
DDR001
-
0B
1
1
/
10
/
2004
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IC43R16160-5T | 4M x 16 Bit x 4 Banks (256-MBIT) DDR SDRAM |
| IC43R16160-5TG | 4M x 16 Bit x 4 Banks (256-MBIT) DDR SDRAM |
| IC43R16160-6T | 4M x 16 Bit x 4 Banks (256-MBIT) DDR SDRAM |
| IC43R16160-6TG | 4M x 16 Bit x 4 Banks (256-MBIT) DDR SDRAM |
| IC43R16160-7T | 4M x 16 Bit x 4 Banks (256-MBIT) DDR SDRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IC43R16160-5T | 制造商:ICSI 制造商全稱:Integrated Circuit Solution Inc 功能描述:4M x 16 Bit x 4 Banks (256-MBIT) DDR SDRAM |
| IC43R16160-5TG | 制造商:ICSI 制造商全稱:Integrated Circuit Solution Inc 功能描述:4M x 16 Bit x 4 Banks (256-MBIT) DDR SDRAM |
| IC43R16160-6T | 制造商:ICSI 制造商全稱:Integrated Circuit Solution Inc 功能描述:4M x 16 Bit x 4 Banks (256-MBIT) DDR SDRAM |
| IC43R16160-6TG | 制造商:ICSI 制造商全稱:Integrated Circuit Solution Inc 功能描述:4M x 16 Bit x 4 Banks (256-MBIT) DDR SDRAM |
| IC43R16160-7T | 制造商:ICSI 制造商全稱:Integrated Circuit Solution Inc 功能描述:4M x 16 Bit x 4 Banks (256-MBIT) DDR SDRAM |
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