參數(shù)資料
型號： IC42S16160-6TG
英文描述： 4M x 16Bit x 4 Banks (256-MBIT) SDRAM
中文描述： 4米× 16 × 4銀行（256兆）內(nèi)存
文件頁數(shù)： 30/69頁
文件大?。?/td> 1219K
代理商： IC42S16160-6TG
IC42S16160
30
Integrated Circuit Solution Inc.
DR037-0A 9/05/2003
AC Parameters for Write Timing (1 of 2)
BS1=”L”, Bank C,D = Idle
T0 T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7 T8 T9 T10 T11 T12 T13 T14 T15 T16 T17 T18 T19 T20 T21 T22
t
CH
t
CL
t
CKS
t
CMS
t
CMH
tAS
tAH
Begin Auto Precharge
Bank A
Begin Auto Precharge
Bank B
t
CKH
t
CK2
CLK
CKE
CS
RAS
CAS
WE
*BS0
A10
ADD
DQM
DQ
tRCD
tRRD
tRC
tDAL
QAa0 QAa1 QAa2 QAa3 QBa0 QBa1 QBa2 QBa3 QAb0 QAb1 QAb2 QAb3
Activate
Command
Bank A
Write with
Auto Precharge
Command
Bank A
Activate
Command
Bank B
Write with
Auto Precharge
Command
Bank B
Activate
Command
Bank A
Write without
Auto Precharge
Command
Bank A
tDS
tDH
tDPL
RP
t
Precharge
Command
Bank A
Activate
Command
Bank A
Burst Length=4, CAS Latency=3
Activate
Command
Bank B
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PDF描述
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