MT47H64M8B6-25E

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MT47H64M8B6-25E 技術(shù)參數(shù)

MT47H64M8B6-25:D TR 功能描述:IC DDR2 SDRAM 512MBIT 60VFBGA RoHS:否類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:移動(dòng) SDRAM 存儲(chǔ)容量:256M（8Mx32）速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA（8x13）包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:557-1327-2 MT47H64M4BP-37E:B TR 功能描述:IC DDR2 SDRAM 256MBIT 60FBGA RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:60 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:16K (2K x 8) 速度:2MHz 接口:SPI 3 線串行電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm）供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-PDIP 包裝:管件產(chǎn)品目錄頁面:1449 (CN2011-ZH PDF) MT47H64M4BP-37E:B 功能描述:IC DDR2 SDRAM 256MBIT 60FBGA RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SDRAM 存儲(chǔ)容量:256M（8Mx32）速度:143MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA（8x13）包裝:托盤其它名稱:Q2841869 MT47H64M16HW-3:H 功能描述:IC DDR2 SDEAM 1GB 84FBGA RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 異步存儲(chǔ)容量:16M（2M x 8，1M x 16）速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-VFBGA（6x8）包裝:帶卷 (TR) MT47H64M16HW-3 IT:H 功能描述:IC DDR2 SDEAM 1GB 84FBGA RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:72 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步存儲(chǔ)容量:9M（256K x 36）速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x14）包裝:托盤其它名稱:71V67703S75PFGI MT47H64M8CB-25:B MT47H64M8CB-25:B TR MT47H64M8CB-3:B MT47H64M8CB-3:B TR MT47H64M8CB-37E IT:B MT47H64M8CB-37E IT:B TR MT47H64M8CB-37E:B MT47H64M8CB-37E:B TR MT47H64M8CB-37V:B MT47H64M8CB-37V:B TR MT47H64M8CB-5E IT:B MT47H64M8CB-5E IT:B TR MT47H64M8CB-5E:B MT47H64M8CB-5E:B TR MT47H64M8CF-187E:G MT47H64M8CF-25E AIT:G MT47H64M8CF-25E AIT:G TR MT47H64M8CF-25E IT:G