MJH6284

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功能描述
達林頓晶體管 20A 100V Bipolar
RoHS
否
制造商
Texas Instruments
配置
Octal
晶體管極性
NPN
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO
50 V
發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO
集電極—基極電壓 VCBO
最大直流電集電極電流
0.5 A
最大集電極截止電流
功率耗散
最大工作溫度
+ 150 C
安裝風格
SMD/SMT
封裝 / 箱體
SOIC-18
封裝
Reel

MJH6284 技術參數(shù)

MJE802 功能描述:TRANS NPN DARL 80V 4A SOT-32 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):過期晶體管類型:NPN - 達林頓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:4A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:3V @ 40mA，4A 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:750 @ 1.5A，3V 功率 - 最大值:40W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-225AA，TO-126-3 供應商器件封裝:SOT-32 標準包裝:50 MJE521 功能描述:TRANS NPN 40V 4A SOT-32 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):過期晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:4A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:40V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:- 電流 - 集電極截止（最大值）:100μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:40 @ 1A，1V 功率 - 最大值:40W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-225AA，TO-126-3 供應商器件封裝:SOT-32-3 標準包裝:50 MJE350 功能描述:TRANS PNP 300V 0.5A SOT-32 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:500mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:300V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:- 電流 - 集電極截止（最大值）:100μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:30 @ 50mA，10V 功率 - 最大值:20.8W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-225AA，TO-126-3 供應商器件封裝:SOT-32-3 標準包裝:50 MJE340 功能描述:TRANS NPN 300V 0.5A SOT-32 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:500mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:300V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:- 電流 - 集電極截止（最大值）:100μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:30 @ 50mA，10V 功率 - 最大值:20.8W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-225AA，TO-126-3 供應商器件封裝:SOT-32-3 標準包裝:50 MJE3055T 功能描述:TRANS NPN 60V 10A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:10A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:8V @ 3.3A，10A 電流 - 集電極截止（最大值）:700μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:20 @ 4A，4V 功率 - 最大值:75W 頻率 - 躍遷:2MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:50 MJL21193 MJL21193G MJL21194 MJL21194G MJL21195 MJL21195G MJL21196 MJL21196G MJL3281A MJL3281AG MJL4281A MJL4281AG MJL4302A MJL4302AG MJN1C-AC12 MJN1C-AC24 MJN1C-AC6 MJN1C-DC12