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BSP298

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制造商
Infineon Technologies AG
功能描述
MOSFET N SOT-223
制造商
Infineon Technologies AG
功能描述
MOSFET, N CH, 400V, 0.5A, SOT-223
制造商
Infineon Technologies AG
功能描述
MOSFET, N CH, 400V, 500mA, SOT-223; Transistor Polarity

BSP298 技術(shù)參數(shù)

BSP297L6327HTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:660mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.8 歐姆 @ 660mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.8V @ 400μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:16.1nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:357pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT223-4 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSP297H6327XTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:660mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.8 歐姆 @ 660mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.8V @ 400μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:16.1nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:357pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT223-4 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSP297 E6327 功能描述:MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:660mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.8 歐姆 @ 660mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.8V @ 400μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:16.1nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:357pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT223-4 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 BSP296NH6433XTMA1 功能描述:MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4.5V 驅(qū)動漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:1.2A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:600 毫歐 @ 1.2A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.8V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:6.7nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:152.7pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT223-4 標(biāo)準(zhǔn)包裝:4,000 BSP296NH6327XTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 100V 1.2A SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4.5V 驅(qū)動漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:1.2A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:600 毫歐 @ 1.2A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.8V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:6.7nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:152.7pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT223-4 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSP304A,126 BSP31,115 BSP3-120 BSP3-120-LC BSP315P-E6327 BSP315PE6327T BSP315PH6327XTSA1 BSP315PL6327HTSA1 BSP316PE6327 BSP316PE6327T BSP316PH6327XTSA1 BSP316PL6327HTSA1 BSP317PE6327 BSP317PE6327T BSP317PH6327XTSA1 BSP317PL6327HTSA1 BSP318S E6327 BSP318SH6327XTSA1