BSM50GX120DN2

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功能描述
IGBT 模塊
RoHS
否
制造商
Infineon Technologies
產(chǎn)品
IGBT Silicon Modules
配置
Dual
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO
600 V
集電極—射極飽和電壓
1.95 V
在25 C的連續(xù)集電極電流
230 A
柵極—射極漏泄電流
400 nA
功率耗散
445 W
最大工作溫度
+ 125 C
封裝 / 箱體
34MM
封裝

BSM50GX120DN2 技術(shù)參數(shù)

BSM50GP120BOSA1 功能描述:IGBT MODULE 1200V 50A 制造商:infineon technologies 系列:* 零件狀態(tài):在售安裝類型:底座安裝封裝/外殼:模塊供應(yīng)商器件封裝:模塊標準包裝:10 BSM50GP120 功能描述:IGBT MODULE 1200V 50A 制造商:infineon technologies industrial power and controls americas 系列:* 零件狀態(tài):在售標準包裝:10 BSM50GD120DN2G 功能描述:IGBT BSM50GD120DN2GBOSA1 制造商:infineon technologies 系列:- 零件狀態(tài):停產(chǎn) IGBT 類型:- 配置:全橋電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:78A 功率 - 最大值:400W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:3.7V @ 15V，50A 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:33nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:模塊供應(yīng)商器件封裝:模塊標準包裝:10 BSM50GB60DLCHOSA1 功能描述:IGBT MODULE 600V 75A 制造商:infineon technologies 系列:- 零件狀態(tài):在售 IGBT 類型:- 配置:單一電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:75A 功率 - 最大值:280W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.45V @ 15V，50A 電流 - 集電極截止（最大值）:500μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:2.2nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:底座安裝封裝/外殼:模塊供應(yīng)商器件封裝:模塊標準包裝:10 BSM50GB170DN2HOSA1 功能描述:IGBT Module Half Bridge 1700V 72A 500W Chassis Mount Module 制造商:infineon technologies 系列:- 零件狀態(tài):上次購買時間 IGBT 類型:- 配置:半橋電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1700V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:72A 功率 - 最大值:500W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:3.9V @ 15V，50A 電流 - 集電極截止（最大值）:- 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:8nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無安裝類型:底座安裝封裝/外殼:模塊供應(yīng)商器件封裝:模塊標準包裝:10 BSMV1BX-XY BSMV2BX-C BSMV2BX-M BSMV2BX-X BSMV6X-L BSMV6X-Q BSMV6X-X BSN10-2K BSN10-D BSN10-E BSN10-L BSN14-3K BSN14-C BSN14-E BSN14-M BSN18-3K BSN18-C BSN18-E