BCR112

配單專家企業(yè)名單

型號(hào)
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號(hào)
價(jià)格
說(shuō)明
操作

3/4頁(yè) 40條/頁(yè) 共143條
上一頁(yè) 1 2 3 4 下一頁(yè)

您是不是要找： BCR112E6327HTSA1 BCR112WE6327BTSA1 BCR112WH6327XTSA1 BCR116E6327HTSA1 BCR116E6393HTSA1 BCR116E6433HTMA1 BCR116SE6327BTSA1 BCR116SH6327XTSA1 BCR116WE6327BTSA1

BCR112 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)

BCR112 PDF下載

制造商
Infineon Technologies
功能描述
NPN 50V 100mA
制造商
Infineon Technologies
功能描述
NPN 50V 100mA Bulk
制造商
Infineon Technologies AG
功能描述
Digital NPN transistor,BCR112 330mW

BCR112 技術(shù)參數(shù)

BCR10PNH6730XTMA1 功能描述:TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):上次購(gòu)買時(shí)間晶體管類型:1 個(gè) NPN，1 個(gè) PNP - 預(yù)偏壓式（雙）電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 電阻器 - 基底（R1）（歐姆）:10k 電阻器 - 發(fā)射極基底（R2）（歐姆）:10k 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:30 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 500μA，10mA 電流 - 集電極截止（最大值）:- 頻率 - 躍遷:130MHz 功率 - 最大值:250mW 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-VSSOP，SC-88，SOT-363 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT363-6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 BCR10PNH6727XTSA1 功能描述:TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):上次購(gòu)買時(shí)間晶體管類型:1 個(gè) NPN，1 個(gè) PNP - 預(yù)偏壓式（雙）電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 電阻器 - 基底（R1）（歐姆）:10k 電阻器 - 發(fā)射極基底（R2）（歐姆）:10k 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:30 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 500μA，10mA 電流 - 集電極截止（最大值）:- 頻率 - 躍遷:130MHz 功率 - 最大值:250mW 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-VSSOP，SC-88，SOT-363 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT363-6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 BCR10PNH6327XTSA1 功能描述:TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):上次購(gòu)買時(shí)間晶體管類型:1 個(gè) NPN，1 個(gè) PNP - 預(yù)偏壓式（雙）電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 電阻器 - 基底（R1）（歐姆）:10k 電阻器 - 發(fā)射極基底（R2）（歐姆）:10k 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:30 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 500μA，10mA 電流 - 集電極截止（最大值）:- 頻率 - 躍遷:130MHz 功率 - 最大值:250mW 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-VSSOP，SC-88，SOT-363 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT363-6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BCR10PNE6327BTSA1 功能描述:TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過(guò)期晶體管類型:1 個(gè) NPN，1 個(gè) PNP - 預(yù)偏壓式（雙）電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 電阻器 - 基底（R1）（歐姆）:10k 電阻器 - 發(fā)射極基底（R2）（歐姆）:10k 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:30 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 500μA，10mA 電流 - 集電極截止（最大值）:- 頻率 - 躍遷:130MHz 功率 - 最大值:250mW 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-VSSOP，SC-88，SOT-363 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT363-6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 BCR10PNB6327XT 功能描述:TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:1 個(gè) NPN，1 個(gè) PNP - 預(yù)偏壓式（雙）電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 電阻器 - 基底（R1）（歐姆）:10k 電阻器 - 發(fā)射極基底（R2）（歐姆）:10k 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:30 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 500μA，10mA 電流 - 集電極截止（最大值）:- 頻率 - 躍遷:130MHz 功率 - 最大值:250mW 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-VSSOP，SC-88，SOT-363 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT363-6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30,000 BCR116WH6327XTSA1 BCR119E6327HTSA1 BCR119SE6327BTSA1 BCR119SE6433HTMA1 BCR119SH6327XTSA1 BCR119SH6433XTMA1 BCR119WE6327HTSA1 BCR119WH6327XTSA1 BCR129E6327HTSA1 BCR129SE6327HTSA1 BCR129SH6327XTSA1 BCR129WE6327HTSA1 BCR129WH6327XTSA1 BCR12CM-12LB#BB0 BCR12CM-16LB#BB0 BCR12CM-16LH#BB0 BCR12CS-12LB#B00 BCR12CS-12LBT1#BH0