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BBY51

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制造商
INFINEON
制造商全稱
Infineon Technologies AG
功能描述
Silicon Tuning Diode

BBY51 技術(shù)參數(shù)

BBY40TA 功能描述:DIODE VARI CAP 28V 330MW SOT23-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:6pF @ 25V，1MHz 電容比:6.5 電容比條件:C3/C25 電壓 - 峰值反向（最大值）:28V 二極管類型:單一不同 Vr，F(xiàn) 時的 Q 值:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 BBY40,235 功能描述:DIODE VHF VAR CAP 30V SOT23 制造商:nxp usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:6pF @ 25V，1MHz 電容比:6.5 電容比條件:C3/C25 電壓 - 峰值反向（最大值）:30V 二極管類型:單一不同 Vr，F(xiàn) 時的 Q 值:- 工作溫度:-55°C ~ 125°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-236AB（SOT23）基本零件編號:BBY40 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BBY40,215 功能描述:DIODE VHF VAR CAP 30V SOT-23 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:6pF @ 25V，1MHz 電容比:6.5 電容比條件:C3/C25 電壓 - 峰值反向（最大值）:30V 二極管類型:單一不同 Vr，F(xiàn) 時的 Q 值:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23（TO-236AB）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BBY31,215 功能描述:DIODE UHF VAR CAP 30V SOT-23 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:2pF @ 28V，1MHz 電容比:8.3 電容比條件:C1/C28 電壓 - 峰值反向（最大值）:30V 二極管類型:單一不同 Vr，F(xiàn) 時的 Q 值:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23（TO-236AB）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BBY 66-05 E6327 功能描述:DIODE TUNING 12V 50MA SOT-23 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:13.5pF @ 4.5V，1MHz 電容比:5.41 電容比條件:C1/C4.5 電壓 - 峰值反向（最大值）:12V 二極管類型:1 對共陰極不同 Vr，F(xiàn) 時的 Q 值:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 BBY5303WE6327HTSA1 BBY5305WE6327HTSA1 BBY5305WH6327XTSA1 BBY5502VH6327XTSA1 BBY5502WH6327XTSA1 BBY5503WE6327HTSA1 BBY5602VH6327XTSA1 BBY5602WH6327XTSA1 BBY5603WE6327HTSA1 BBY5702VH6327XTSA1 BBY5702WH6327XTSA1 BBY5705WE6327HTSA1 BBY5705WH6327XTSA1 BBY5802VH6327XTSA1 BBY5802WE6127XT BBY5802WH6327XTSA1 BBY5803WE6327HTSA1 BBY5805WE6327BTSA1