BAT63-07W

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制造商
INFINEON
制造商全稱
Infineon Technologies AG
功能描述
Silicon Schottky Diode

BAT63-07W 技術參數(shù)

BAT6302VH6327XTSA1 功能描述:RF Diode Schottky - Single 3V 100mA 100mW PG-SC79-2 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售二極管類型:肖特基 - 單電壓 - 峰值反向（最大值）:3V 電流 - 最大值:100mA 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:0.85pF @ 0.2V，1MHz 不同?If，F(xiàn) 時的電阻:- 功率耗散（最大值）:100mW 工作溫度:150°C（TJ）封裝/外殼:SC-79，SOD-523 供應商器件封裝:PG-SC79-2 標準包裝:1 BAT62E6327HTSA1 功能描述:RF Diode Schottky - 2 Independent 40V 20mA 100mW PG-SOT143-4 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效二極管類型:肖特基 - 2 個獨立式電壓 - 峰值反向（最大值）:40V 電流 - 最大值:20mA 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:0.6pF @ 0V，1MHz 不同?If，F(xiàn) 時的電阻:- 功率耗散（最大值）:100mW 封裝/外殼:TO-253-4，TO-253AA 供應商器件封裝:PG-SOT143-4 標準包裝:3,000 BAT6207WH6327XTSA1 功能描述:RF Diode Schottky - 2 Independent 40V 20mA 100mW PG-SOT343-4 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期二極管類型:肖特基 - 2 個獨立式電壓 - 峰值反向（最大值）:40V 電流 - 最大值:20mA 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:0.6pF @ 0V，1MHz 不同?If，F(xiàn) 時的電阻:- 功率耗散（最大值）:100mW 封裝/外殼:SC-82A，SOT-343 供應商器件封裝:PG-SOT343-4 標準包裝:1 BAT6207WE6327HTSA1 功能描述:RF Diode Schottky - 2 Independent 40V 20mA 100mW PG-SOT343-4 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期二極管類型:肖特基 - 2 個獨立式電壓 - 峰值反向（最大值）:40V 電流 - 最大值:20mA 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:0.6pF @ 0V，1MHz 不同?If，F(xiàn) 時的電阻:- 功率耗散（最大值）:100mW 封裝/外殼:SC-82A，SOT-343 供應商器件封裝:PG-SOT343-4 標準包裝:3,000 BAT6207L4E6433XTMA1 功能描述:RF Diode Schottky - 2 Independent 40V 20mA 100mW PG-TSLP-4 (1.2x0.8) 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期二極管類型:肖特基 - 2 個獨立式電壓 - 峰值反向（最大值）:40V 電流 - 最大值:20mA 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:0.6pF @ 0V，1MHz 不同?If，F(xiàn) 時的電阻:- 功率耗散（最大值）:100mW 封裝/外殼:4-XFDFN 供應商器件封裝:PG-TSLP-4（1.2x0.8）標準包裝:50,000 BAT64-05-TP BAT6405WE6327HTSA1 BAT6405WH6327XTSA1 BAT6406E6327HTSA1 BAT6406WE6327HTSA1 BAT6406WH6327XTSA1 BAT64E6327HTSA1 BAT6804E6327HTSA1 BAT6804WE6327BTSA1 BAT6804WH6327XTSA1 BAT6806E6327HTSA1 BAT6806WE6327HTSA1 BAT6806WH6327XTSA1 BAT68E6327HTSA1 BAT720,215 BAT720,235 BAT721,215 BAT721A,215