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APT50GT60BRDQ2G

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  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
  • 價(jià)格
  • 說(shuō)明
  • 操作
APT50GT60BRDQ2G PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • IGBT 600V 110A 446W TO247
  • RoHS
  • 是
  • 類(lèi)別
  • 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路
  • 系列
  • Thunderbolt IGBT®
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 30
  • 系列
  • GenX3™
  • IGBT 類(lèi)型
  • PT
  • 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）
  • 1200V
  • Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）
  • 3V @ 15V，100A
  • 電流 - 集電極 (Ic)（最大）
  • 200A
  • 功率 - 最大
  • 830W
  • 輸入類(lèi)型
  • 標(biāo)準(zhǔn)
  • 安裝類(lèi)型
  • 通孔
  • 封裝/外殼
  • TO-247-3
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝
  • PLUS247?-3
  • 包裝
  • 管件
APT50GT60BRDQ2G 技術(shù)參數(shù)
  • APT50GT120LRDQ2G 功能描述:IGBT NPT 1200V 106A 694W Through Hole TO-264 [L] 制造商:microsemi corporation 系列:Thunderbolt IGBT? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類(lèi)型:NPT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:106A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):150A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:3.7V @ 15V，50A 功率 - 最大值:694W 開(kāi)關(guān)能量:2585μJ（開(kāi)），1910μJ（關(guān)） 輸入類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:240nC 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值:23ns/215ns 測(cè)試條件:800V，50A，1 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 封裝/外殼:TO-264-3，TO-264AA 安裝類(lèi)型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-264 [L] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT50GT120JU3 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 75A 347W Chassis Mount SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):有效 IGBT 類(lèi)型:溝槽型場(chǎng)截止 配置:單一 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:75A 功率 - 最大值:347W 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.1V @ 15V，50A 電流 - 集電極截止（最大值）:5mA 不同?Vce 時(shí)的輸入電容（Cies）:3.6nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類(lèi)型:底座安裝 封裝/外殼:ISOTOP 供應(yīng)商器件封裝:SOT-227 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT50GT120JU2 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 75A 347W Chassis Mount SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):有效 IGBT 類(lèi)型:溝槽型場(chǎng)截止 配置:單一 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:75A 功率 - 最大值:347W 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.1V @ 15V，50A 電流 - 集電極截止（最大值）:5mA 不同?Vce 時(shí)的輸入電容（Cies）:3.6nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類(lèi)型:底座安裝 封裝/外殼:ISOTOP 供應(yīng)商器件封裝:SOT-227 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT50GT120JRDQ2 功能描述:IGBT Module NPT Single 1200V 72A 379W Chassis Mount ISOTOP? 制造商:microsemi corporation 系列:Thunderbolt IGBT? 零件狀態(tài):過(guò)期 IGBT 類(lèi)型:NPT 配置:單一 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:72A 功率 - 最大值:379W 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:3.7V @ 15V，50A 電流 - 集電極截止（最大值）:400μA 不同?Vce 時(shí)的輸入電容（Cies）:2.5nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類(lèi)型:底座安裝 封裝/外殼:ISOTOP 供應(yīng)商器件封裝:ISOTOP? 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 APT50GT120B2RG 功能描述:IGBT NPT 1200V 94A 625W Through Hole 制造商:microsemi corporation 系列:Thunderbolt IGBT? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類(lèi)型:NPT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:94A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):150A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:3.7V @ 15V，50A 功率 - 最大值:625W 開(kāi)關(guān)能量:2330μJ（關(guān)） 輸入類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:340nC 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值:24ns/230ns 測(cè)試條件:800V，50A，4.7 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類(lèi)型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:* 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT50M75B2LLG APT50M75JLLU2 APT50M75JLLU3 APT50MC120JCU2 APT50N60JCCU2 APT50N60JCU2 APT51F50J APT51M50J APT53F80J APT53N60BC6 APT54GA60B APT54GA60BD30 APT5510JFLL APT5518BFLLG APT55M50JFLL APT55M65JFLL APT56F50B2 APT56F50L
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