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2SD2656T106

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
2SD2656T106 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • 兩極晶體管 - BJT NPN 30V 1A
  • RoHS
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 配置
  • 晶體管極性
  • PNP
  • 集電極—基極電壓 VCBO
  • 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO
  • - 40 V
  • 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO
  • - 6 V
  • 集電極—射極飽和電壓
  • 最大直流電集電極電流
  • 增益帶寬產(chǎn)品fT
  • 直流集電極/Base Gain hfe Min
  • 100 A
  • 最大工作溫度
  • 安裝風格
  • SMD/SMT
  • 封裝 / 箱體
  • PowerFLAT 2 x 2
2SD2656T106 技術(shù)參數(shù)
  • 2SD2656FRAT106 功能描述:NPN LOW VCE(SAT) TRANSISTOR (COR 制造商:rohm semiconductor 系列:汽車級,AEC-Q101 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):1A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):30V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):350mV @ 25mA,500mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):270 @ 100mA,2V 功率 - 最大值:200mW 頻率 - 躍遷:400MHz 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70,SOT-323 供應(yīng)商器件封裝:UMT3 標準包裝:1 2SD2654TLW 功能描述:TRANS NPN 50V 0.15A EMT3 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):150mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):300mV @ 5mA,50mA 電流 - 集電極截止(最大值):300nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):820 @ 1mA,5V 功率 - 最大值:150mW 頻率 - 躍遷:250MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-75,SOT-416 供應(yīng)商器件封裝:EMT3 標準包裝:3,000 2SD2654TLV 功能描述:TRANS NPN 50V 0.15A SOT-416 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):150mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):300mV @ 5mA,50mA 電流 - 集電極截止(最大值):300nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):820 @ 1mA,5V 功率 - 最大值:150mW 頻率 - 躍遷:250MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-75,SOT-416 供應(yīng)商器件封裝:EMT3 標準包裝:1 2SD2653TL 功能描述:TRANS NPN 12V 2A TSMT 3 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):2A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):12V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):180mV @ 50mA,1A 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):270 @ 200mA,2V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:360MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-96 供應(yīng)商器件封裝:TSMT3 標準包裝:1 2SD2653KT146 功能描述:TRANS NPN 12V 2A SOT-346 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):2A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):12V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):180mV @ 50mA,1A 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):270 @ 200mA,2V 功率 - 最大值:200mW 頻率 - 躍遷:360MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SMT3 標準包裝:1 2SD2675TL 2SD2679T100 2SD2695(T6CANO,A,F 2SD2695(T6CANO,F,M 2SD2695(T6CNO,A,F) 2SD2695,T6F(J 2SD2695,T6F(M 2SD2696T2L 2SD2700TL 2SD2701TL 2SD2702TL 2SD2703TL 2SD2704KT146 2SD2705STP 2SD2707T2LV 2SD300C17A1 2SD300C17A2 2SD300C17A3
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