2SC5008-T1

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制造商
NEC
制造商全稱
NEC
功能描述
NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR 3 PINS ULTRA SUPER MINI MOLD

2SC5008-T1 技術(shù)參數(shù)

2SC5008-A 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-523 制造商:cel 系列:- 包裝:剪帶零件狀態(tài):有效晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:10V 頻率 - 躍遷:8GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）:1.9dB @ 2GHz 增益:7.5dB 功率 - 最大值:125mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:80 @ 5mA，3V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:35mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-523 供應(yīng)商器件封裝:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2SC5007-T1-A 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-523 制造商:cel 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:10V 頻率 - 躍遷:7GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）:1.4dB @ 1GHz 增益:12dB 功率 - 最大值:125mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:80 @ 7mA，3V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:65mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-523 供應(yīng)商器件封裝:SOT-523 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2SC5007-A 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-523 制造商:cel 系列:- 包裝:剪帶零件狀態(tài):有效晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:10V 頻率 - 躍遷:7GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）:1.4dB @ 1GHz 增益:12dB 功率 - 最大值:125mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:80 @ 7mA，3V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:65mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-523 供應(yīng)商器件封裝:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2SC5006-T1-A 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-523 制造商:cel 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:12V 頻率 - 躍遷:4.5GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）:1.2dB @ 1GHz 增益:9dB 功率 - 最大值:125mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:80 @ 7mA，3V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-523 供應(yīng)商器件封裝:SOT-523 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2SC5006-A 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-523 制造商:cel 系列:- 包裝:剪帶零件狀態(tài):有效晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:12V 頻率 - 躍遷:4.5GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）:1.2dB @ 1GHz 增益:9dB 功率 - 最大值:125mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:80 @ 7mA，3V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-523 供應(yīng)商器件封裝:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2SC5015-A 2SC5015-T1-A 2SC501900L 2SC50260RL 2SC5053T100Q 2SC5053T100R 2SC5060TV2M 2SC5065-O(TE85L,F) 2SC5065-Y(TE85L,F) 2SC5066-O,LF 2SC5066-Y,LF 2SC5071 2SC5084-O(TE85L,F) 2SC5084YTE85LF 2SC5085-O(TE85L,F) 2SC5085-Y(TE85L,F) 2SC5086-O,LF 2SC5086-Y,LF