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2SB1325

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  • 2SB1325-TD-E
    2SB1325-TD-E

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  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質：營業(yè)執(zhí)照

  • 20000

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  • 全新原裝，進口現貨，準時交貨，量大優(yōu)惠

  • 2SB1325-TD
    2SB1325-TD

    2SB1325-TD

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質：營業(yè)執(zhí)照

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  • 假一罰十，百分百原裝正品

  • 2SB1325
    2SB1325

    2SB1325

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質：營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

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  • SOT89

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  • 假一罰十，百分百原裝正品

  • 2SB1325
    2SB1325

    2SB1325

  • 深圳市奧偉斯科技有限公司
    深圳市奧偉斯科技有限公司

    聯系人：江小姐 ADS觸摸芯片一級代理

    電話：0755-83254770

    地址：深南中路3006號佳和華強大廈A座7樓整層

    資質：營業(yè)執(zhí)照

  • 30000

  • SANYO

  • SOT-89

  • 18+

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  • 專業(yè)SMD MOS

  • 2SB1325
    2SB1325

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  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 8650000

  • SANYO

  • SOT-89

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2SB1325 技術參數
  • 2SB1322A0A 功能描述:TRANS PNP 50V 1A MT-2 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:400mV @ 50mA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:85 @ 500mA，10V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:200MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:3-SIP 供應商器件封裝:MT-2-A1 標準包裝:1 2SB1321A0A 功能描述:TRANS PNP 50V 0.5A MT-1 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:500mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:600mV @ 30mA，300mA 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:85 @ 10mA，10V 功率 - 最大值:600mW 頻率 - 躍遷:200MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:3-SIP 供應商器件封裝:MT-1-A1 標準包裝:1 2SB1320A0A 功能描述:TRANS PNP 50V 0.1A MT-1 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1V @ 10mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:160 @ 2mA，10V 功率 - 最大值:400mW 頻率 - 躍遷:80MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:3-SIP 供應商器件封裝:MT-1-A1 標準包裝:1 2SB1316TL 功能描述:TRANS PNP DARL 100V 2A SOT-428 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):Not Recommended For New Designs 晶體管類型:PNP - 達林頓 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:2A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:100V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1.5V @ 1mA，1A 電流 - 集電極截止（最大值）:10μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:1000 @ 1A，2V 功率 - 最大值:10W 頻率 - 躍遷:50MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應商器件封裝:CPT3 標準包裝:1 2SB1308T100R 功能描述:TRANS PNP 20V 3A SOT89 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):停產 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:3A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:20V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:450mV @ 150mA，1.5A 電流 - 集電極截止（最大值）:500nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:180 @ 500mA，2V 功率 - 最大值:2W 頻率 - 躍遷:120MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:MPT3 標準包裝:1 2SB13980QA 2SB1412TLP 2SB1412TLQ 2SB1412TLR 2SB14140RA 2SB14160RA 2SB1417APA 2SB1418APA 2SB1418AQA 2SB1420 2SB1424T100Q 2SB1424T100R 2SB1427T100E 2SB143400A 2SB14350RA 2SB14380RA 2SB14400RL 2SB1440GRL
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