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2N7002T

配單專(zhuān)家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
  • 價(jià)格
  • 說(shuō)明
  • 操作
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  • 功能描述
  • MOSFET N-Chan Enhancement Mode Field Effect
  • RoHS
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶體管極性
  • N-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓
  • 650 V
  • 閘/源擊穿電壓
  • 25 V
  • 漏極連續(xù)電流
  • 130 A
  • 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通)
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作溫度
  • 安裝風(fēng)格
  • Through Hole
  • 封裝 / 箱體
  • Max247
  • 封裝
  • Tube
2N7002T 技術(shù)參數(shù)
  • 2N7002PW,115 功能描述:MOSFET N-CH 60V 0.31A SOT323 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類(lèi)型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):310mA(Ta) 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):0.8nC @ 4.5V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):50pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散(最大值):260mW(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):1.6 歐姆 @ 500mA,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:SOT-323-3 封裝/外殼:SC-70,SOT-323 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2N7002PV,115 功能描述:MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT-666 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類(lèi)型:2 個(gè) N 溝道(雙) FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):350mA 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):1.6 歐姆 @ 500mA,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):0.8nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):50pF @ 10V 功率 - 最大值:330mW 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-563,SOT-666 供應(yīng)商器件封裝:SOT-666 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2N7002PT,115 功能描述:MOSFET N-CH 60V 0.31A SOT-416 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):310mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):1.6 歐姆 @ 500mA,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):0.8nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):50pF @ 10V 功率 - 最大值:250mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-75,SOT-416 供應(yīng)商器件封裝:SC-75 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2N7002PS/ZLX 功能描述:MOSFET 2 N-CH 60V 320MA SOT363 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類(lèi)型:2 個(gè) N 溝道(雙) FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):320mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):1.6 歐姆 @ 500mA,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):0.8nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):50pF @ 10V 功率 - 最大值:990mW 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:6-TSSOP,SC-88,SOT-363 供應(yīng)商器件封裝:SOT-363 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 2N7002PS/ZLH 功能描述:MOSFET 2 N-CH 60V 320MA SOT363 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類(lèi)型:2 個(gè) N 溝道(雙) FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):320mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):1.6 歐姆 @ 500mA,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):0.8nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):50pF @ 10V 功率 - 最大值:990mW 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:6-TSSOP,SC-88,SOT-363 供應(yīng)商器件封裝:SOT-363 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 2N7002T-TP 2N7002V 2N7002V-7 2N7002VA 2N7002VA-7 2N7002VA-7-F 2N7002VAC-7 2N7002VC-7 2N7002V-TP 2N7002W 2N7002W-7 2N7002W-7-F 2N7002WST1G 2N7002WT1G 2N7002WT3G 2N7002W-TP 2N7008 2N7008-G
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