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STBB1-AXX

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  • STBB1-AXX
    STBB1-AXX

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  • 北京京北通宇電子元件有限公司
    北京京北通宇電子元件有限公司

    聯(lián)系人:洪寶宇

    電話:17862669251

    地址:北京市海淀區(qū)安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈505(京北通宇)

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

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  • STBB1-AXX
    STBB1-AXX

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  • 北京京北通宇電子元件有限公司
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    聯(lián)系人:

    電話:13969210552

    地址:中國上海

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  • 優(yōu)勢庫存,原裝正品

  • STBB1-AXX
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  • 深圳市德力誠信科技有限公司
    深圳市德力誠信科技有限公司

    聯(lián)系人:王小姐

    電話:13969210552

    地址:深圳市福田區(qū)深南中路3031號漢國中心3204室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

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  • 深圳市德力誠信科技有限公司
    深圳市德力誠信科技有限公司

    聯(lián)系人:王小姐

    電話:13969210552

    地址:上海市靜安區(qū)恒豐路568號恒匯國際大廈903室

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STBB1-AXX 技術(shù)參數(shù)
  • STBB1-APUR 功能描述:直流/直流開關(guān)轉(zhuǎn)換器 1A High EFF DC DC 1.5MHz 2.0V to 5.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大輸入電壓:4.5 V 開關(guān)頻率:1.5 MHz 輸出電壓:4.6 V 輸出電流:250 mA 輸出端數(shù)量:2 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT STB9NK90Z 功能描述:MOSFET N-CH 900V 8A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):900V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):8A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):1.3 歐姆 @ 3.6A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):72nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2115pF @ 25V 功率 - 最大值:160W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1 STB9NK80Z 功能描述:MOSFET N-CH 800V D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):800V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):5.2A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):1.8 歐姆 @ 2.6A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):40nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1138pF @ 25V 功率 - 最大值:125W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1 STB9NK60ZT4 功能描述:MOSFET N-CH 600V 7A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):7A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):950 毫歐 @ 3.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):53nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1110pF @ 25V 功率 - 最大值:125W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1 STB9NK60ZDT4 功能描述:MOSFET N-CH 600V 7A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperFREDmesh? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):7A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):950 毫歐 @ 3.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):53nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1110pF @ 25V 功率 - 最大值:125W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1 STBC03JR STBC08PMR STBC21FTR STBCFG01JR STBP110CVDJ6F STBP110ETDJ6F STBP110GTDJ6F STBP112CVDJ6F STBP120AVDK6F STBP120BVDK6F STBP120CVDK6F STBP120DVDK6F STBR3012W STBR3012WY STBR6012W STBR6012WY STBV32-AP STBV32G
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