參數(shù)資料
型號(hào)： APT60DQ60S
廠商： Advanced Power Technology Ltd.
英文描述： ULTRAFAST SOFT RECOVERY RECTIFIER DIODE
中文描述： 超快軟恢復(fù)整流二極管
文件頁(yè)數(shù)： 3/4頁(yè)
文件大?。?/td> 139K
代理商： APT60DQ60S
0
APT60DQ60B_S(G)
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
200
T
J
= 125
°
C
V
R
= 400V
30A
60A
120A
t
rr
Q
rr
Q
rr
t
rr
I
RRM
300
250
200
150
100
50
0
30
25
20
15
10
5
0
Duty cycle = 0.5
T
J
= 175
°
C
Figure 6. Dynamic Parameters vs. Junction Temperature
0
25
50
75
100
125
150
25
50
75
100
125
150
175
1
10
100 200
120
100
80
60
40
20
0
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
350
300
250
200
150
100
50
0
C
J
,
K
f
,
(
(
μ
s
I
F
(
T
, JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
Case Temperature (
°
C)
Figure 7. Maximum Average Forward Current vs. CaseTemperature
V
, REVERSE VOLTAGE (V)
Figure 8. Junction Capacitance vs. Reverse Voltage
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
2000
1800
1600
1400
1200
1000
800
600
400
200
0
Figure 2. Forward Current vs. Forward Voltage
V
, ANODE-TO-CATHODE VOLTAGE (V)
-di
/dt, CURRENT RATE OF CHANGE(A/
μ
s)
Figure 3. Reverse Recovery Time vs. Current Rate of Change
Figure 4. Reverse Recovery Charge vs. Current Rate of Change
-di
/dt, CURRENT RATE OF CHANGE (A/
μ
s)
-di
/dt, CURRENT RATE OF CHANGE (A/
μ
s)
Figure 5. Reverse Recovery Current vs. Current Rate of Change
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3.0
0
200
400
600
800
1000
1200
0
200
400
600
800
1000
1200
0
200
400
600
800
1000
1200
Q
r
,
I
F
,
(
(
I
R
,
t
r
,
(
(
T
J
= 175
°
C
T
J
= -55
°
C
T
J
= 25
°
C
T
J
= 125
°
C
T
J
= 125
°
C
V
R
= 400V
120A
60A
30A
T
J
= 125
°
C
V
R
= 400V
120A
30A
60A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APT60DQ60SG ULTRAFAST SOFT RECOVERY RECTIFIER DIODE
APT60GF120JRDQ3 FAST IGBT & FRED
APT60GF120JRD The Fast IGBT⑩ is a new generation of high voltage power IGBTs.
APT60GF60JU3 ISOTOP Buck chopper NPT IGBT
APT60GT60JRDQ3 Thunderbolt IGBT
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參數(shù)描述
APT60DQ60SG 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:ULTRAFAST SOFT RECOVERY RECTIFIER DIODE
APT60DS04HJ 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:MOD DIODE 400V SOT-227
APT60DS10HJ 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:ISOTOP Schottky Diode Full Bridge Power Module
APT60DS20HJ 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:ISOTOP Schottky Diode Full Bridge Power Module
APT60GA60JD60 功能描述:IGBT 600V 112A 356W SOT-227 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:POWER MOS 8™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
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