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SI1988DH-T1-GE3

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  • SI1988DH-T1-GE3
    SI1988DH-T1-GE3

    SI1988DH-T1-GE3

  • 深圳市新良宇電子有限公司
    深圳市新良宇電子有限公司

    聯系人：李先生

    電話：0755-8323763213302457603

    地址：福田區(qū)振興路華勻大廈221室

  • 56912

  • Vishay Siliconix

  • MOSFET N-CH 20V DUAL

  • 23+

  • -

  • 原裝現貨歡迎來電查詢！

  • SI1988DH-T1-GE3
    SI1988DH-T1-GE3

    SI1988DH-T1-GE3

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • VISHAY

  • SOT-363

  • 最新批號

  • -

  • 一級代理.原裝特價現貨！

  • SI1988DH-T1-GE3
    SI1988DH-T1-GE3

    SI1988DH-T1-GE3

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯系人：雷春艷

    電話：19129493934（手機優(yōu)先微信同號）0755-83266697

    地址：深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質：營業(yè)執(zhí)照

  • 116255

  • V

  • SC70

  • 15+

  • -

  • 全新原裝現貨

  • SI1988DH-T1-GE3
    SI1988DH-T1-GE3

    SI1988DH-T1-GE3

  • 深圳市歐和寧電子有限公司
    深圳市歐和寧電子有限公司

    聯系人：李先生

    電話：0755-292759351581559886118576729816

    地址：廣東省 深圳市 福田區(qū) 華強北賽格科技園6C18室

  • 82490

  • VISHAY

  • SOT-363

  • 新年份

  • -

  • 一級代理全新原裝現貨特價！

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  • 1
SI1988DH-T1-GE3 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 20V DUAL SC-70-6
  • RoHS
  • 是
  • 類別
  • 分離式半導體產品 >> FET - 陣列
  • 系列
  • TrenchFET®
  • 產品目錄繪圖
  • 8-SOIC Mosfet Package
  • 標準包裝
  • 1
  • 系列
  • -
  • FET 型
  • 2 個 N 溝道（雙）
  • FET 特點
  • 邏輯電平門
  • 漏極至源極電壓(Vdss)
  • 60V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
  • 3A
  • 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
  • 75 毫歐 @ 4.6A，10V
  • Id 時的 Vgs(th)（最大）
  • 3V @ 250µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs
  • 20nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds
  • -
  • 功率 - 最大
  • 1.4W
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 封裝/外殼
  • PowerPAK? SO-8
  • 供應商設備封裝
  • PowerPAK? SO-8
  • 包裝
  • Digi-Reel®
  • 產品目錄頁面
  • 1664 (CN2011-ZH PDF)
  • 其它名稱
  • SI7948DP-T1-GE3DKR
SI1988DH-T1-GE3 技術參數
  • SI1869DH-T1-GE3 功能描述:MOSFET LOAD SWITCH 1.8V RA W/ LEVEL SHIFT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube SI1869DH-T1-E3 功能描述:MOSFET LOAD SWITCH 1.8V RA W/ LEVEL SHIFT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube SI1867DL-T1-GE3 功能描述:IC LOAD SW LEVEL SHIFTER SC-70-6 RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - 電源分配開關 系列:- 特色產品:XRP252 Switches 標準包裝:1 系列:- 類型:高端開關 輸出數:2 Rds（開）:140 毫歐 內部開關:是 電流限制:1.15A 輸入電壓:1.75 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:10-WFDFN 裸露焊盤 供應商設備封裝:10-TDFN（3x3） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:1016-1691-6 SI1867DL-T1-E3 功能描述:MOSFET 1.8-8.0V w/Lvl-Shift RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube SI1865DL-T1-GE3 功能描述:IC LOAD SW LVL SHIFT 1.2A SC70-6 RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - 電源分配開關 系列:- 標準包裝:80 系列:- 類型:USB 開關 輸出數:2 Rds（開）:135 毫歐 內部開關:是 電流限制:1.5A 輸入電壓:2.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬）裸露焊盤 供應商設備封裝:8-MSOP-PowerPad 包裝:管件 配用:TPS2066-1EVM-296-ND - TPS2066-1EVM-296 SI2124-A-EVB SI2127-A30-GM SI2127-A30-GMR SI2128-A20-GM SI2128-A20-GMR SI2136-B30-GM SI2136-B30-GMR SI2137-A30-GM SI2137-A30-GMR SI2138-A20-GM SI2138-A20-GMR SI2141-A10-GM SI2141-A10-GMR SI2141-B10-GM SI2141-B10-GMR SI2141-B-EVB SI2143-A30-GM SI2144-A20-GM
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