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S34ML01G100TFI000..

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S34ML01G100TFI000.. 技術(shù)參數(shù)
  • S34ML01G100TFI000 功能描述:閃存 1Gb 3V 25ns NAND 閃存 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel S34ML01G100TFB000 功能描述:IC FLASH 1GBIT 25NS 48TSOP 制造商:cypress semiconductor corp 系列:ML-1 包裝:托盤 零件狀態(tài):在售 存儲(chǔ)器類型:非易失 存儲(chǔ)器格式:閃存 技術(shù):FLASH - NAND 存儲(chǔ)容量:1Gb （128M x 8） 寫周期時(shí)間 - 字，頁:25ns 存儲(chǔ)器接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 105°C（TA） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商器件封裝:48-TSOP I 標(biāo)準(zhǔn)包裝:96 S34ML01G100TFA000 功能描述:IC FLASH 1GBIT 25NS 48TSOP 制造商:cypress semiconductor corp 系列:ML-1 包裝:托盤 零件狀態(tài):在售 存儲(chǔ)器類型:非易失 存儲(chǔ)器格式:閃存 技術(shù):FLASH - NAND 存儲(chǔ)容量:1Gb （128M x 8） 寫周期時(shí)間 - 字，頁:25ns 存儲(chǔ)器接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C（TA） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商器件封裝:48-TSOP I 標(biāo)準(zhǔn)包裝:96 S34ML01G100BHI000 功能描述:閃存 1Gb 3V 25ns NAND 閃存 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel S3-4K7F1 功能描述:RES SMD 4.7K OHM 1% 3W 6327 制造商:riedon 系列:S 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):停產(chǎn) 電阻（歐姆）:4.7k 容差:±1% 功率（W）:3W 成分:繞線 特性:耐燃，防潮，脈沖耐受，安全 溫度系數(shù):±20ppm/°C 工作溫度:-55°C ~ 275°C 封裝/外殼:6327 J 形引線 供應(yīng)商器件封裝:- 大小/尺寸:0.626" 長(zhǎng) x 0.272" 寬（15.90mm x 6.90mm） 高度:0.268"（6.80mm） 端子數(shù):2 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 S34ML01G200BHB003 S34ML01G200BHI000 S34ML01G200BHI003 S34ML01G200BHI500 S34ML01G200BHI503 S34ML01G200BHI900 S34ML01G200BHI903 S34ML01G200BHV000 S34ML01G200BHV003 S34ML01G200GHI000 S34ML01G200GHI003 S34ML01G200TFA000 S34ML01G200TFA003 S34ML01G200TFB000 S34ML01G200TFB003 S34ML01G200TFI000 S34ML01G200TFI003 S34ML01G200TFI500
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