GT30J122(Q)

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說明
操作

GT30J122(Q)
深圳市深美諾電子科技有限公司
深圳市深美諾電子科技有限公司
聯(lián)系人：李燕兵
電話：82525918
地址：深圳市福田區(qū)華強北路上步工業(yè)區(qū)101棟5樓517-532室
資質：營業(yè)執(zhí)照
6000
TOSHIBA
TO-3P
22+
-
全新原裝現(xiàn)貨供應

GT30J122(Q) 存儲IC
深圳市華盛錦科技有限公司
深圳市華盛錦科技有限公司
聯(lián)系人：張先生/雷小姐
電話：0755-83795896
地址：深圳市福田區(qū)華強北街道賽格廣場55樓5566室
資質：營業(yè)執(zhí)照
34000
TOSHIBA/東芝
21+原廠授權
-
★原廠授權★價超代理★

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1

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制造商
Toshiba America Electronic Components
功能描述
Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-3P(N)IS

GT30J122(Q) 技術參數

GT28F320C3TA110 功能描述:IC FLASH 32MBIT 110NS 47MBGA RoHS:否類別:集成電路 (IC) >> 存儲器系列:- 標準包裝:60 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行存儲器類型:EEPROM 存儲容量:16K (2K x 8) 速度:2MHz 接口:SPI 3 線串行電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm）供應商設備封裝:8-PDIP 包裝:管件產品目錄頁面:1449 (CN2011-ZH PDF) GT28F320C3TA100SB93 功能描述:IC FLASH 32MBIT 100NS 47MBGA RoHS:否類別:集成電路 (IC) >> 存儲器系列:- 標準包裝:96 系列:- 格式 - 存儲器:閃存存儲器類型:FLASH 存儲容量:1M (64K x 16) 速度:150ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬）供應商設備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 GT28F320C3BA110 功能描述:IC FLASH 32MBIT 110NS 47MBGA RoHS:否類別:集成電路 (IC) >> 存儲器系列:- 標準包裝:60 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行存儲器類型:EEPROM 存儲容量:16K (2K x 8) 速度:2MHz 接口:SPI 3 線串行電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm）供應商設備封裝:8-PDIP 包裝:管件產品目錄頁面:1449 (CN2011-ZH PDF) GT28F320C3BA100SB93 功能描述:IC FLASH 32MBIT 100NS 47MBGA RoHS:否類別:集成電路 (IC) >> 存儲器系列:- 標準包裝:96 系列:- 格式 - 存儲器:閃存存儲器類型:FLASH 存儲容量:1M (64K x 16) 速度:150ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬）供應商設備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 GT28F320C3BA100 功能描述:IC FLASH 32MBIT 100NS 47MBGA RoHS:否類別:集成電路 (IC) >> 存儲器系列:- 標準包裝:150 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行存儲器類型:EEPROM 存儲容量:4K (2 x 256 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-VFDFN 裸露焊盤供應商設備封裝:8-DFN（2x3）包裝:管件產品目錄頁面:1445 (CN2011-ZH PDF) GT32-10S-6CF GT32-10S-HU GT32-10S-SC GT32-10S-SP GT32-19DP-0.75H GT32-19DS-0.75CA GT32-19DS-0.75CB GT32-19DS-7CF GT32-19DS-HU GT32-19DS-SC GT32S10A GT32S13A GT32S18A GT32S2.5A GT32S22A GT32S4A GT32S6A GT36/WH-MD