GA10JT12-SMB3L

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制造商
GeneSic Semiconductor Inc
功能描述
TRANS SJT 1.2KV 10A

GA10JT12-SMB3L 技術參數(shù)

GA10JT12-263 功能描述:TRANS SJT 1200V 25A 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:結式晶體管，常閉 FET 功能:碳化硅（SiC）漏源極電壓（Vdss）:1200V（1.2kV）電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:25A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:120 毫歐 @ 10A 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1403pF @ 800V 功率 - 最大值:170W 工作溫度:175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:- 供應商器件封裝:- 標準包裝:50 GA10JT12-247 功能描述:TRANS SJT 1.2KV 10A 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:結式晶體管，常閉 FET 功能:碳化硅（SiC）漏源極電壓（Vdss）:1200V（1.2kV）電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:10A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:140 毫歐 @ 10A 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:170W 工作溫度:175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-247-3 供應商器件封裝:TO-247AB 標準包裝:30 GA101 功能描述:SCR 60V 200mA Standard Recovery Through Hole TO-18 制造商:microsemi ire division 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):在售電壓 - 斷態(tài):60V 電壓 - 柵極觸發(fā)（Vgt）（最大值）:- 電流 - 柵極觸發(fā)（Igt）（最大值）:- 電壓 - 通態(tài)（Vtm）（最大值）:- 電流 - 通態(tài)（It（AV））（最大值）:- 電流 - 通態(tài)（It（RMS））（最大值）:200mA 電流 - 保持（Ih）（最大值）:- 電流 - 斷態(tài)（最大值）:- 電流 - 不重復浪涌 50，60Hz（Itsm）:- SCR 類型:標準恢復型工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-206AA，TO-18-3 金屬罐供應商器件封裝:TO-18 標準包裝:1 GA100SICP12-227 功能描述:SIC CO-PACK SJT/RECT 100A 1.2KV 制造商:genesic semiconductor 系列:- 零件狀態(tài):有效類型:- 配置:- 電流:100A 電壓:1200V 電壓 - 隔離:- 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 標準包裝:10 GA100SCPL12-227E 功能描述:SIC PHASE LEG BRIDGE 100A 1.2KV 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:- 零件狀態(tài):過期 FET 類型:- FET 功能:- 漏源極電壓（Vdss）:- 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:- 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:- 工作溫度:- 安裝類型:- 封裝/外殼:- 供應商器件封裝:- 標準包裝:10 GA10K4A1A GA10K4D25 GA10SICP12-247 GA10SICP12-263 GA-14 GA15IDDJT22-FR4 GA1616 2"X50YD GA1616 3"X50YD GA1616 4"X50YD GA16B02 GA16JT17-247 GA1A1S100WP GA1A1S201WP GA1A1S202WP GA1A1S203WP GA1A1S204WP GA1A2S100LY GA1A2S100SS