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GA10JT12-263

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  • GA10JT12-263
    GA10JT12-263

    GA10JT12-263

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 0

  • 原廠封裝

  • 10000

  • 16+/17+

  • -

  • 百分百原裝正品假一賠十 電話010-62...

  • GA10JT12-263
    GA10JT12-263

    GA10JT12-263

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人：雷春艷

    電話：19129493934（手機(jī)優(yōu)先微信同號(hào)）0755-83266697

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號(hào)寶華大廈A座2028室

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 90

  • GENESIC S

  • 1521+

  • -

  • 全新原裝現(xiàn)貨

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  • 1
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  • 制造商
  • GeneSic Semiconductor Inc
  • 功能描述
  • TRANS SJT 1.2KV 10A
  • 制造商
  • GeneSic Semiconductor Inc
  • 功能描述
  • SIC JUNCTION TRANS 1.2KV 10A
  • 制造商
  • Vishay Semiconductors
  • 功能描述
  • SIC JUNCTION TRANS, 1.2KV, 10A, TO-263, Transistor Type
GA10JT12-263 技術(shù)參數(shù)
  • GA10JT12-247 功能描述:TRANS SJT 1.2KV 10A 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:結(jié)式晶體管，常閉 FET 功能:碳化硅 （SiC） 漏源極電壓（Vdss）:1200V（1.2kV） 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:10A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:140 毫歐 @ 10A 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:170W 工作溫度:175°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-247AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 GA101 功能描述:SCR 60V 200mA Standard Recovery Through Hole TO-18 制造商:microsemi ire division 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電壓 - 斷態(tài):60V 電壓 - 柵極觸發(fā)（Vgt）（最大值）:- 電流 - 柵極觸發(fā)（Igt）（最大值）:- 電壓 - 通態(tài)（Vtm）（最大值）:- 電流 - 通態(tài)（It（AV））（最大值）:- 電流 - 通態(tài)（It（RMS））（最大值）:200mA 電流 - 保持（Ih）（最大值）:- 電流 - 斷態(tài)（最大值）:- 電流 - 不重復(fù)浪涌 50，60Hz（Itsm）:- SCR 類型:標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù)型 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-206AA，TO-18-3 金屬罐 供應(yīng)商器件封裝:TO-18 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 GA100SICP12-227 功能描述:SIC CO-PACK SJT/RECT 100A 1.2KV 制造商:genesic semiconductor 系列:- 零件狀態(tài):有效 類型:- 配置:- 電流:100A 電壓:1200V 電壓 - 隔離:- 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 GA100SCPL12-227E 功能描述:SIC PHASE LEG BRIDGE 100A 1.2KV 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:- 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:- FET 功能:- 漏源極電壓（Vdss）:- 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:- 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:- 工作溫度:- 安裝類型:- 封裝/外殼:- 供應(yīng)商器件封裝:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 GA100SBJT12-FR4 功能描述:- Power Management Evaluation Board 制造商:genesic semiconductor 系列:- 零件狀態(tài):有效 主要用途:電源管理 嵌入式:- 使用的 IC/零件:- 主要屬性:- 輔助屬性:- 所含物品:板 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5 GA10K4A1A GA10K4D25 GA10SICP12-247 GA10SICP12-263 GA-14 GA15IDDJT22-FR4 GA1616 2"X50YD GA1616 3"X50YD GA1616 4"X50YD GA16B02 GA16JT17-247 GA1A1S100WP GA1A1S201WP GA1A1S202WP GA1A1S203WP GA1A1S204WP GA1A2S100LY GA1A2S100SS
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