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FW352

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  • FW352-TL-E
    FW352-TL-E

    FW352-TL-E

    優(yōu)勢
  • 深圳市悅興晨電子科技有限公司
    深圳市悅興晨電子科技有限公司

    聯(lián)系人：朱先生

    電話：０７５５-８２８１２００４82811605

    地址：深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)405棟607室 柜臺號新亞洲二期N2B227

  • 300000

  • SANYO

  • SOP8

  • 2023+

  • -

  • 強(qiáng)調(diào)進(jìn)口原裝假一賠十

  • FW352
    FW352

    FW352

  • 深圳市新良宇電子有限公司
    深圳市新良宇電子有限公司

    聯(lián)系人：李先生

    電話：0755-8323763213302457603

    地址：福田區(qū)振興路華勻大廈221室

  • 56912

  • SANYO Electric Co Ltd

  • TRANSISTOR 4 A, 60 V

  • 23+

  • -

  • 原裝現(xiàn)貨歡迎來電查詢！

  • FW352-TL-E
    FW352-TL-E

    FW352-TL-E

  • 北京首天偉業(yè)科技有限公司
    北京首天偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址： 廣東省深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道電子科技大廈C座23E

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 10000

  • SANYO

  • SOP8

  • 15+

  • -

  • 1/1頁 40條/頁 共9條 
  • 1
FW352 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 制造商
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  • 功能描述
FW352 技術(shù)參數(shù)
  • FW349-TL-E 功能描述:MOSFET N/P-CH 45V 5A/4.5A 8-SOP 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:N 和 P 溝道 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:45V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:5A，4.5A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:37 毫歐 @ 5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:18.1nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:860pF @ 20V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬） 供應(yīng)商器件封裝:8-SOP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 FW342-TL-E 功能描述:MOSFET N/P-CH 30V 6A/5A 8-SOP 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:N 和 P 溝道 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:6A，5A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:33 毫歐 @ 6A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:16nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:850pF @ 10V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬） 供應(yīng)商器件封裝:8-SOP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 FW248-TL-E 功能描述:MOSFET 2N-CH 45V 6A 8-SOP 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:2 個(gè) N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:45V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:6A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:34 毫歐 @ 6A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:23nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1040pF @ 20V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬） 供應(yīng)商器件封裝:8-SOP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 FW231A-TL-E 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 8A 8-SOP 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:2 個(gè) N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:8A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:23 毫歐 @ 8A，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:21nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1530pF @ 10V 功率 - 最大值:2.3W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬） 供應(yīng)商器件封裝:8-SOP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 FW1120G01 功能描述:General Purpose Relay DPDT (2 Form C) Chassis Mount 制造商:te connectivity aerospace, defense and marine 系列:軍用，MIL-R-5757/10，F(xiàn)W，CII 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 繼電器類型:通用 線圈類型:無鎖存 線圈電流:- 線圈電壓:26.5VDC 觸頭外形:DPDT（2 C 型） 額定接觸（電流）:2A 開關(guān)電壓:28VDC - 標(biāo)稱 導(dǎo)通電壓（最大值）:13 VDC 關(guān)閉電壓（最小值）:2.3 VDC 工作時(shí)間:6ms 釋放時(shí)間:6ms 特性:- 安裝類型:底座安裝 端子類型:焊接鉤 觸頭材料:- 線圈功率:- 線圈電阻:- 工作溫度:-65°C ~ 125°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 FW-36-01-F-D-425-065 FW-36-01-F-D-425-075 FW-36-01-F-D-425-100 FW-36-01-F-D-509-143 FW-36-01-G-D-200-065 FW-36-01-G-D-200-075 FW-36-01-G-D-200-100 FW-36-01-G-D-250-065 FW-36-01-G-D-250-075 FW-36-01-G-D-250-100 FW-36-01-G-D-350-065 FW-36-01-G-D-350-075 FW-36-01-G-D-350-100 FW-36-01-G-D-425-065 FW-36-01-G-D-425-075 FW-36-01-G-D-425-100 FW-36-01-L-D-200-065 FW-36-01-L-D-200-075
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