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ECJ1VF0J225Z

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  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號(hào)）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • PANASONIC

  • ORIGINAL

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  • ECJ1VF0J225Z
    ECJ1VF0J225Z

    ECJ1VF0J225Z

  • 深圳市金嘉旭貿(mào)易有限公司
    深圳市金嘉旭貿(mào)易有限公司

    聯(lián)系人：金

    電話：0755-832599640755-23884416

    地址：中航北苑A座7A5

  • 6456

  • PANA

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  • 1
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  • 制造商
  • PANASONIC
  • 制造商全稱
  • Panasonic Semiconductor
  • 功能描述
  • Multilayer Ceramic Capacitors (High Capacitance)
ECJ1VF0J225Z 技術(shù)參數(shù)
  • ECI-2 功能描述:Component Insulator Capacitors, Electrolytic Circular 0.005" (0.13mm) Clear 制造商:bivar inc. 系列:ECI 零件狀態(tài):有效 類型:絕緣體 形狀:圓形 使用:電容器，電解 材料:聚酯 顏色:透明 特性:- 長(zhǎng)度:- 寬度:- 高度:0.005"（0.13mm） 直徑 - 外部:0.831"（21.10mm） 直徑 - 內(nèi)部:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 ECH8655R-TL-H 功能描述:MOSFET 2N-CH 24V 9A ECH8 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:2 個(gè) N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:24V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:9A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:17 毫歐 @ 4.5A，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:16.8nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:1.5W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SMD，扁平引線 供應(yīng)商器件封裝:8-ECH 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 ECH8654-TL-H 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 5A ECH8 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個(gè) P 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:5A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:38 毫歐 @ 3A，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:11nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:960pF @ 10V 功率 - 最大值:1.5W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SMD，扁平引線 供應(yīng)商器件封裝:8-ECH 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 ECH8651R-TL-H 功能描述:MOSFET 2N-CH 24V 10A ECH8 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個(gè) N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:24V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:10A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:14 毫歐 @ 5A，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:24nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:1.5W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SMD，扁平引線 供應(yīng)商器件封裝:8-ECH 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 ECH8620-TL-E 功能描述:MOSFET N/P-CH 100V 2A/1.5A ECH8 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:N 和 P 溝道 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:2A，1.5A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:260 毫歐 @ 1A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:13.8nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:650pF @ 20V 功率 - 最大值:1.3W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SMD，扁平引線 供應(yīng)商器件封裝:8-ECH 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 ECJ-1VF1C474Z ECJ-1VF1E104Z ECJ-1VF1E105Z ECJ-1VF1E683Z ECJ-1VF1H103Z ECJ-1VF1H104Z ECJ-1VF1H153Z ECJ-1VF1H223Z ECJ-1VF1H333Z ECJ-1VF1H473Z ECJ-1VF1H683Z ECJ26DMCH ECJ26DMCI ECJ26DMCN ECJ26DSCH ECJ26DSCI ECJ26DSCN ECJ-2F60J226M
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