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DS1350YP-100-IND

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  • NVRAM (Battery Based)
DS1350YP-100-IND 技術參數(shù)
  • DS1350YP-100+ 功能描述:NVRAM 4096K NV SRAM w/Battery Monitor RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube DS1350YP-100 功能描述:NVRAM 4096K NV SRAM w/Battery Monitor RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube DS1350YL-70IND 功能描述:IC NVSRAM 4MBIT 70NS 34LPM RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:150 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:4K (2 x 256 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 線串口 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-VFDFN 裸露焊盤 供應商設備封裝:8-DFN(2x3) 包裝:管件 產品目錄頁面:1445 (CN2011-ZH PDF) DS1350YL-70 功能描述:IC NVSRAM 4MBIT 70NS 34LPM RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:150 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:4K (2 x 256 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 線串口 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-VFDFN 裸露焊盤 供應商設備封裝:8-DFN(2x3) 包裝:管件 產品目錄頁面:1445 (CN2011-ZH PDF) DS1350YL-100 功能描述:IC NVSRAM 4MBIT 100NS 34LPM RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:150 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:4K (2 x 256 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 線串口 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-VFDFN 裸露焊盤 供應商設備封裝:8-DFN(2x3) 包裝:管件 產品目錄頁面:1445 (CN2011-ZH PDF) DS1351-1R5M DS1351-220M DS1351-2R2M DS1351-330M DS1351-3R3M DS1351-470M DS1351-4R7M DS1351-6R8M DS1351-6R8M-B DS135AC DS135AD DS135AE DS1371U DS1371U+ DS1371U+C01 DS1371U+T&R DS1372U+ DS1372U+T&R
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