您好,歡迎來到買賣IC網(wǎng) 登錄 | 免費注冊
您現(xiàn)在的位置:買賣IC網(wǎng) > C字母型號搜索 >

CSD880GR

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • 1/1頁 40條/頁 共1條 
  • 1
CSD880GR PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 制造商
  • CDIL
  • 制造商全稱
  • Continental Device India Limited
  • 功能描述
  • Audio Frequency Power Amplifier Applications
CSD880GR 技術(shù)參數(shù)
  • CSD87588NT 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 25A 5PTAB 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個 N 通道(半橋) FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):25A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):9.6 毫歐 @ 15A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.9V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):4.1nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):736pF @ 15V 功率 - 最大值:6W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:5-LGA 供應(yīng)商器件封裝:5-PTAB(5x3.5) 標準包裝:1 CSD87588N 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 25A 5PTAB 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個 N 通道(半橋) FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):25A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):9.6 毫歐 @ 15A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.9V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):4.1nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):736pF @ 15V 功率 - 最大值:6W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:5-XFLGA 供應(yīng)商器件封裝:5-PTAB(3x2.5) 標準包裝:1 CSD87503Q3ET 功能描述:30-V DUAL N-CHANNEL MOSFET, COMM 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 零件狀態(tài):在售 FET 類型:2 N 溝道(雙)共源 FET 功能:標準 漏源電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):10A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):- 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):17.4nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):1020pF @ 15V 功率 - 最大值:15.6W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應(yīng)商器件封裝:8-VSON(3.3x3.3) 標準包裝:1 CSD87502Q2T 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 5A 6WSON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個 N 溝道(雙) FET 功能:邏輯電平柵極,5V 驅(qū)動 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):5A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):32.4 毫歐 @ 4A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):6nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):353pF @ 15V 功率 - 最大值:2.3W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-WDFN 裸露焊盤 供應(yīng)商器件封裝:6-WSON(2x2) 標準包裝:1 CSD87501LT 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 10PICOSTAR 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 N 溝道(雙)共漏 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):- 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):- 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):- 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):40nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):- 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:10-XFBGA 供應(yīng)商器件封裝:10-Picostar(3.37x1.47) 標準包裝:1 CSD95372BQ5M CSD95372BQ5MC CSD95372BQ5MCT CSD95372BQ5MT CSD95373AQ5M CSD95373BQ5M CSD95373BQ5MT CSD95375Q4M CSD95377Q4M CSD95377Q4MT CSD95378BQ5M CSD95378BQ5MC CSD95378BQ5MCT CSD95378BQ5MT CSD95379Q3M CSD95379Q3MT CSD95472Q5MC CSD95472Q5MCT
配單專家

在采購CSD880GR進貨過程中,您使用搜索有什么問題和建議?點此反饋

友情提醒:為規(guī)避購買CSD880GR產(chǎn)品風險,建議您在購買CSD880GR相關(guān)產(chǎn)品前務(wù)必確認供應(yīng)商資質(zhì)及產(chǎn)品質(zhì)量。

免責聲明:以上所展示的CSD880GR信息由會員自行提供,CSD880GR內(nèi)容的真實性、準確性和合法性由發(fā)布會員負責。買賣IC網(wǎng)不承擔任何責任。

買賣IC網(wǎng) (m.beike2008.cn) 版權(quán)所有?2006-2019
深圳市碩贏互動信息技術(shù)有限公司 | 粵公網(wǎng)安備 44030402000118號 | 粵ICP備14064281號