CMH07(TE12L,Q,M)

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CMH07(TE12L,Q,M)
深圳市興合盛科技發(fā)展有限公司
深圳市興合盛科技發(fā)展有限公司
聯(lián)系人：銷售部經(jīng)理：馬先生
電話：0755-8335078918923859456
地址：深圳市福田區(qū)華強北上步工業(yè)區(qū)8棟829/北京市海淀區(qū)中關村中銀街168-9號/香港辦事處:香港大理石
資質：營業(yè)執(zhí)照
256
Toshiba
標準封裝
23+
-
真實的資源竭誠服務您！

CMH07(TE12L,Q,M)
深圳市華盛錦科技有限公司
深圳市華盛錦科技有限公司
聯(lián)系人：雷小姐
電話：0755-2391507123915070（承諾只售原裝正品，終端BOM配單一站式服務）
地址：華強街道賽格廣場55樓5566室
資質：營業(yè)執(zhí)照
86000
TOSHIBA/東芝
NA
2020+
-
★★★真實庫存，假一賠十，原廠授權★★★

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功能描述
整流器 Switching Diode HED 2A 200V 35ns
RoHS
否
制造商
Vishay Semiconductors
產(chǎn)品
Standard Recovery Rectifiers
配置
反向電壓
100 V
正向電壓下降
恢復時間
1.2 us
正向連續(xù)電流
2 A
最大浪涌電流
35 A
反向電流 IR
5 uA
安裝風格
SMD/SMT
封裝 / 箱體
DO-221AC
封裝
Reel

CMH07(TE12L,Q,M) 技術參數(shù)

CMH05A(TE12L,Q,M) 功能描述:Diode Standard 400V 1A Surface Mount M-FLAT (2.4x3.8) 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:400V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.8V @ 1A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:35ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 400V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOD-128 供應商器件封裝:M-FLAT（2.4x3.8）工作溫度 - 結:-40°C ~ 150°C 標準包裝:1 CMH05(TE12L,Q,M) 功能描述:DIODE GEN PURP 400V 1A M-FLAT 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 零件狀態(tài):在售二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:400V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.3V @ 1A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:100ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 400V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOD-128 供應商器件封裝:M-FLAT（2.4x3.8）工作溫度 - 結:-40°C ~ 150°C 標準包裝:3,000 CMH04(TE12L,Q,M) 功能描述:Diode Standard 200V 1A Surface Mount M-FLAT (2.4x3.8) 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:980mV @ 1A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:35ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 200V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOD-128 供應商器件封裝:M-FLAT（2.4x3.8）工作溫度 - 結:-40°C ~ 150°C 標準包裝:3,000 CMH02A(TE12L,Q,M) 功能描述:DIODE GEN PURP 400V 3A M-FLAT 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 零件狀態(tài):在售二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:400V 電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.8V @ 3A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:100ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 400V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOD-128 供應商器件封裝:M-FLAT（2.4x3.8）工作溫度 - 結:-40°C ~ 150°C 標準包裝:3,000 CMH01(TE12L,Q,M) 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 3A M-FLAT 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 零件狀態(tài):在售二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:980mV @ 3A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:100ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 200V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOD-128 供應商器件封裝:M-FLAT（2.4x3.8）工作溫度 - 結:-40°C ~ 150°C 標準包裝:3,000 CMH322522-151KL CMH322522-15NML CMH322522-180KL CMH322522-181KL CMH322522-18NML CMH322522-1R0KL CMH322522-1R2KL CMH322522-1R5KL CMH322522-1R8KL CMH322522-220KL CMH322522-221KL CMH322522-22NML CMH322522-270KL CMH322522-271KL CMH322522-27NML CMH322522-2R2KL CMH322522-2R7KL CMH322522-330KL