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BZX85C9V1GP

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BZX85C9V1GP 技術(shù)參數(shù)
  • BZX85C9V1_T50R 功能描述:Zener Diode 9.1V 1W ±6% Through Hole DO-41 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):過期 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):9.1V 容差:±6% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):5 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 6.5V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-41 標(biāo)準(zhǔn)包裝:6,000 BZX85C9V1_T50A 功能描述:Zener Diode 9.1V 1W ±6% Through Hole DO-41 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶盒(TB) 零件狀態(tài):過期 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):9.1V 容差:±6% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):5 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 6.5V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-41 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 BZX85C9V1 R0G 功能描述:DIODE ZENER 9.1V 1.3W DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):9.1V 容差:±5% 功率 - 最大值:1.3W 阻抗(最大值)(Zzt):5 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 6.9V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1.2V @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-204AL(DO-41) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000 BZX85C9V1 A0G 功能描述:DIODE ZENER 9.1V 1.3W DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶盒(TB) 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):9.1V 容差:±5% 功率 - 最大值:1.3W 阻抗(最大值)(Zzt):5 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 6.9V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1.2V @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-204AL(DO-41) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 BZX85C9V1 功能描述:Zener Diode 9.1V 1W ±6% Through Hole DO-41 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):9.1V 容差:±6% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):5 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 6.5V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-41 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 BZX884-B20,315 BZX884-B22,315 BZX884-B24,315 BZX884-B27,315 BZX884-B2V4,315 BZX884-B2V7,315 BZX884-B30,315 BZX884-B33,315 BZX884-B36,315 BZX884-B39,315 BZX884-B3V0,315 BZX884-B3V3,315 BZX884-B3V6,315 BZX884-B3V9,315 BZX884-B43,315 BZX884-B47,315 BZX884-B4V3,315 BZX884-B4V7,315
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