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BZX85C43GP

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BZX85C43GP 技術(shù)參數(shù)
  • BZX85C43_T50R 功能描述:Zener Diode 43V 1W ±7% Through Hole DO-41 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):過期 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):43V 容差:±7% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):50 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:500nA @ 30V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-41 標(biāo)準(zhǔn)包裝:6,000 BZX85C43_T50A 功能描述:Zener Diode 43V 1W ±7% Through Hole DO-41 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶盒(TB) 零件狀態(tài):過期 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):43V 容差:±7% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):50 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:500nA @ 30V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-41 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 BZX85C43 R0G 功能描述:DIODE ZENER 43V 1.3W DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):43V 容差:±5% 功率 - 最大值:1.3W 阻抗(最大值)(Zzt):50 Ohms 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:500nA @ 30V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf:1.2V @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-204AL(DO-41) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000 BZX85C43 A0G 功能描述:DIODE ZENER 43V 1.3W DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶盒(TB) 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):43V 容差:±5% 功率 - 最大值:1.3W 阻抗(最大值)(Zzt):50 Ohms 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:500nA @ 30V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf:1.2V @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-204AL(DO-41) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 BZX85C43 功能描述:Zener Diode 43V 1W ±7% Through Hole DO-41 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):過期 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):43V 容差:±7% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):50 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:500nA @ 30V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-41 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 BZX85C4V3 BZX85C4V3 A0G BZX85C4V3 R0G BZX85C4V3_T50A BZX85C4V3_T50R BZX85C4V3-TAP BZX85C4V3-TR BZX85C4V7 BZX85C4V7 A0G BZX85C4V7 R0G BZX85C4V7_T50A BZX85C4V7_T50R BZX85C4V7-TAP BZX85C4V7-TR BZX85C51 BZX85C51 A0G BZX85C51 R0G BZX85C51_T50R
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