BZX85C130GP

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BZX85C130GP 技術(shù)參數(shù)

BZX85C13_T50R 功能描述:Zener Diode 13V 1W ±6% Through Hole DO-41 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:13V 容差:±6% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:10 歐姆不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:500nA @ 9.1V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-41 標(biāo)準(zhǔn)包裝:6,000 BZX85C13 R0G 功能描述:DIODE ZENER 13V 1.3W DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):在售電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:13V 容差:±5% 功率 - 最大值:1.3W 阻抗（最大值）（Zzt）:10 Ohms 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:500nA @ 10V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf:1.2V @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-204AL（DO-41）標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000 BZX85C13 A0G 功能描述:DIODE ZENER 13V 1.3W DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶盒（TB）零件狀態(tài):在售電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:13V 容差:±5% 功率 - 最大值:1.3W 阻抗（最大值）（Zzt）:10 Ohms 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:500nA @ 10V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf:1.2V @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-204AL（DO-41）標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 BZX85C13 功能描述:Zener Diode 13V 1W ±6% Through Hole DO-41 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:13V 容差:±6% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:10 歐姆不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:500nA @ 9.1V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-41 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 BZX85C12-TR 功能描述:Zener Diode 12V 1.3W ±5% Through Hole DO-41 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級(jí)，AEC-Q101 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:12V 容差:±5% 功率 - 最大值:1.3W 阻抗（最大值）（Zzt）:9 歐姆不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:500nA @ 9.1V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:- 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-41 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000 BZX85C15-TAP BZX85C15-TR BZX85C16 BZX85C16 A0G BZX85C16 R0G BZX85C16_T50R BZX85C16-TAP BZX85C16-TR BZX85C18 BZX85C18 A0G BZX85C18 R0G BZX85C18_S62Z BZX85C18_T50A BZX85C18_T50R BZX85C18-T50A BZX85C18-T50R BZX85C18-TAP BZX85C18-TR