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BZX85B9V1

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  • BZX85B9V1-TR
    BZX85B9V1-TR

    BZX85B9V1-TR

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯系人：雷春艷

    電話：19129493934（手機優(yōu)先微信同號）0755-83266697

    地址：深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質：營業(yè)執(zhí)照

  • 76065

  • VISHAY SE

  • 1521+

  • -

  • 全新原裝現貨

  • BZX85B9V1-TAP
    BZX85B9V1-TAP

    BZX85B9V1-TAP

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯系人：何芝

    電話：19129491934(手機優(yōu)先微信同號)0755-82865099

    地址：深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質：營業(yè)執(zhí)照

  • 4556

  • VISHAY

  • 1425

  • -

  • 原裝正品，現貨庫存！

  • BZX85B9V1TAP
    BZX85B9V1TAP

    BZX85B9V1TAP

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • vishay

  • 5000ammo

  • 最新批號

  • -

  • 代理此型號，原裝特價現貨！

  • BZX85B9V1-TR
    BZX85B9V1-TR

    BZX85B9V1-TR

  • 科創(chuàng)特電子（香港）有限公司
    科創(chuàng)特電子（香港）有限公司

    聯系人：柯

    電話：0755-83014603

    地址：深圳市福田區(qū)深南中路3006號佳和大廈B座907

  • 5000

  • GENERAL SEMICONDUCTOR (VI

  • 主營優(yōu)勢

  • 1723

  • -

  • 100%原裝正品★終端免費供樣★

  • 1/1頁 40條/頁 共13條 
  • 1
BZX85B9V1 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準
  • 功能描述
  • 穩(wěn)壓二極管 9.1 Volt 1.3 Watt 2%
  • RoHS
  • 否
  • 制造商
  • Vishay Semiconductors
  • 齊納電壓
  • 12 V
  • 電壓容差
  • 5 %
  • 電壓溫度系數
  • 0.075 % / K
  • 齊納電流
  • 功率耗散
  • 3 W
  • 最大反向漏泄電流
  • 3 uA
  • 最大齊納阻抗
  • 7 Ohms
  • 最大工作溫度
  • + 150 C
  • 安裝風格
  • SMD/SMT
  • 封裝 / 箱體
  • DO-214AC
  • 封裝
  • Reel
BZX85B9V1 技術參數
  • BZX85B91-TR 功能描述:Zener Diode 91V 1.3W ±2% Through Hole DO-41 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:91V 容差:±2% 功率 - 最大值:1.3W 阻抗（最大值）（Zzt）:250 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 68V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:- 工作溫度:175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向 供應商器件封裝:DO-41 標準包裝:5,000 BZX85B91-TAP 功能描述:Zener Diode 91V 1.3W ±2% Through Hole DO-41 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):停產 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:91V 容差:±2% 功率 - 最大值:1.3W 阻抗（最大值）（Zzt）:250 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 68V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:- 工作溫度:175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向 供應商器件封裝:DO-41 標準包裝:1 BZX85B8V2-TR 功能描述:Zener Diode 8.2V 1.3W ±2% Through Hole DO-41 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:8.2V 容差:±2% 功率 - 最大值:1.3W 阻抗（最大值）（Zzt）:5 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 6.2V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:- 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向 供應商器件封裝:DO-41 標準包裝:5,000 BZX85B8V2-TAP 功能描述:Zener Diode 8.2V 1.3W ±2% Through Hole DO-41 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:帶盒（TB） 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:8.2V 容差:±2% 功率 - 最大值:1.3W 阻抗（最大值）（Zzt）:5 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 6.2V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:- 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向 供應商器件封裝:DO-41 標準包裝:5,000 BZX85B82-TR 功能描述:Zener Diode 82V 1.3W ±2% Through Hole DO-41 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:82V 容差:±2% 功率 - 最大值:1.3W 阻抗（最大值）（Zzt）:200 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 62V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:- 工作溫度:175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向 供應商器件封裝:DO-41 標準包裝:1 BZX85C10-TAP BZX85C10-TR BZX85C11 BZX85C11 A0G BZX85C11 R0G BZX85C11_T50A BZX85C11_T50R BZX85C11-TAP BZX85C11-TR BZX85C12 BZX85C12 A0G BZX85C12 R0G BZX85C12_T50R BZX85C12-T50R BZX85C12-TAP BZX85C12-TR BZX85C13 BZX85C13 A0G
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