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BZX55C0V8

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  • BZX55C0V8
    BZX55C0V8

    BZX55C0V8

  • 北京京北通宇電子元件有限公司
    北京京北通宇電子元件有限公司

    聯(lián)系人：洪寶宇

    電話：17862669251

    地址：北京市海淀區(qū)安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈505（京北通宇）

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 84

  • ST(先科)

  • NA

  • 23+

  • -

  • 穩(wěn)壓二極管

  • BZX55C0V8
    BZX55C0V8

    BZX55C0V8

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • STMICROELECTRONICS

  • 原廠封裝

  • 最新批號

  • -

  • 代理此型號，原裝正品現(xiàn)貨??！

  • BZX55C0V8
    BZX55C0V8

    BZX55C0V8

  • 深圳市硅宇電子有限公司
    深圳市硅宇電子有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話：134242936540755-83690762

    地址：深圳市福田區(qū)福虹路世界貿(mào)易廣場A座1503

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 4761

  • STM

  • NA

  • 1219+

  • -

  • 原裝現(xiàn)貨/特價

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  • 1
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  • 制造商
  • C&K Components
  • 功能描述
  • - Bulk
BZX55C0V8 技術(shù)參數(shù)
  • BZX55B9V1-TR 功能描述:Zener Diode 9.1V 500mW ±2% Through Hole DO-35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:9.1V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:10 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 6.8V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:10,000 BZX55B9V1-TAP 功能描述:Zener Diode 9.1V 500mW ±2% Through Hole DO-35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:帶盒（TB） 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:9.1V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:10 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 6.8V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:10,000 BZX55B9V1 A0G 功能描述:DIODE ZENER 9.1V 500MW DO35 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶盒（TB） 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:9.1V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:10 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 6.8V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1V @ 100mA 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:5,000 BZX55B8V2-TR 功能描述:Zener Diode 8.2V 500mW Through Hole DO-35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:8.2V 容差:- 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:7 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 6.2V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作溫度:175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 BZX55B8V2-TAP 功能描述:Zener Diode 8.2V 500mW ±2% Through Hole DO-35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:帶盒（TB） 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:8.2V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:7 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 6.2V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:10,000 BZX55C11_T50A BZX55C11_T50R BZX55C11-TAP BZX55C11-TR BZX55C12 BZX55C12 A0G BZX55C12_T26A BZX55C12_T50A BZX55C12_T50R BZX55C12-TAP BZX55C12-TR BZX55C13 BZX55C13 A0G BZX55C13_T50A BZX55C13_T50R BZX55C13-TAP BZX55C13-TR BZX55C15
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