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BSS295E6325

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  • 制造商
  • INFINEON
  • 制造商全稱
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • SIPMOS Small-Signal Transistor
BSS295E6325 技術(shù)參數(shù)
  • BSS225L6327HTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 600V 0.09A SOT-89 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):90mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):45 歐姆 @ 90mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.3V @ 94μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):5.8nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):131pF @ 25V 功率 - 最大值:1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-243AA 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT89 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 BSS225H6327XTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 600V 90MA SOT89 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):90mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):45 歐姆 @ 90mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.3V @ 94μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):5.8nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):131pF @ 25V 功率 - 最大值:1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-243AA 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT89 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 BSS225H6327FTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 600V 0.09A SOT-89 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):90mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):45 歐姆 @ 90mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.3V @ 94μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):5.8nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):131pF @ 25V 功率 - 最大值:1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-243AA 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT89 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSS225 功能描述:MOSFET N-CH 600V 0.09A SOT-89 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):90mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):45 歐姆 @ 90mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.3V @ 94μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):5.8nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):131pF @ 25V 功率 - 最大值:1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-243AA 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT89 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 BSS223PWH6327XTSA1 功能描述:MOSFET P-CH 20V 390MA SOT-323 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,2.5V 驅(qū)動 漏源極電壓(Vdss):20V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):390mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):1.2 歐姆 @ 390mA,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.2V @ 1.5μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):0.62nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):56pF @ 15V 功率 - 最大值:250mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70,SOT-323 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT323-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSS315P H6327 BSS315PH6327XTSA1 BSS315PL6327HTSA1 BSS316N H6327 BSS316NH6327XTSA1 BSS316NL6327HTSA1 BSS340NWH6327XTSA1 BSS44 BSS606NH6327XTSA1 BSS63 BSS63,215 BSS63LT1G BSS64 BSS64,215 BSS64LT1 BSS64LT1G BSS670S2L BSS670S2L H6327
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