BSS100_D75Z

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功能描述
MOSFET DISC BY MFG 2/02
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
650 V
閘/源擊穿電壓
25 V
漏極連續(xù)電流
130 A
電阻汲極/源極 RDS（導通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作溫度
安裝風格
Through Hole
封裝 / 箱體
Max247
封裝
Tube

BSS100_D75Z 技術參數(shù)

BSS100 功能描述:MOSFET N-CH 100V 220MA TO92 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:220mA（Ta）不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:2nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:60pF @ 25V FET 功能:- 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:6 歐姆 @ 220mA，10V 安裝類型:通孔供應商器件封裝:TO-92-3 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線）基本零件編號:* 標準包裝:2,000 BSS-084-01-L-D-DP-EM2 功能描述:.635MM DOUBLE ROW SOCKET ASSEMBL 制造商:samtec inc. 系列:BSS 包裝:管件零件狀態(tài):在售連接器類型:差分對陣列，母針腳數(shù):168 間距:0.025"（0.64mm）排數(shù):2 安裝類型:板邊緣，跨騎式安裝特性:- 觸頭鍍層:金觸頭鍍層厚度:10μin（0.25μm）接合堆疊高度:- 板上高度:- 標準包裝:1 BSS-084-01-H-D-DP-EM2 功能描述:.635MM DOUBLE ROW SOCKET ASSEMBL 制造商:samtec inc. 系列:BSS 包裝:管件零件狀態(tài):在售連接器類型:差分對陣列，母針腳數(shù):168 間距:0.025"（0.64mm）排數(shù):2 安裝類型:板邊緣，跨騎式安裝特性:- 觸頭鍍層:金觸頭鍍層厚度:30μin（0.76μm）接合堆疊高度:- 板上高度:- 標準包裝:1 BSS-084-01-F-D-DP-EM2 功能描述:.635MM DOUBLE ROW SOCKET ASSEMBL 制造商:samtec inc. 系列:BSS 包裝:管件零件狀態(tài):在售連接器類型:差分對陣列，母針腳數(shù):168 間距:0.025"（0.64mm）排數(shù):2 安裝類型:板邊緣，跨騎式安裝特性:- 觸頭鍍層:金觸頭鍍層厚度:3μin（0.08μm）接合堆疊高度:- 板上高度:- 標準包裝:1 BSS-075-01-L-D-TR 功能描述:.635MM DOUBLE ROW SOCKET ASSEMBL 制造商:samtec inc. 系列:BSS 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):在售連接器類型:插口，中央觸點帶針腳數(shù):150 間距:0.025"（0.64mm）排數(shù):2 安裝類型:表面貼裝特性:- 觸頭鍍層:金觸頭鍍層厚度:10μin（0.25μm）接合堆疊高度:5mm 板上高度:0.135"（3.43mm）標準包裝:125 BSS-100-01-H-D-A-TR BSS-100-01-H-D-DP-EM2 BSS-100-01-L-D BSS-100-01-L-D-A BSS-100-01-L-D-A-TR BSS-100-01-L-D-DP-EM2 BSS-100-01-L-D-EM2 BSS-100-01-L-D-EM2-TR BSS-100-01-L-D-LC BSS-100-01-L-D-LC-TR BSS110 BSS119 E6433 BSS119 E7796 BSS119 E7978 BSS119E6327 BSS119L6327HTSA1 BSS119L6433HTMA1 BSS119NH6327XTSA1