无码av一区二区免费看,日韩AV综合无码中文

BSM181R
現(xiàn)貨
集好芯城
集好芯城
聯(lián)系人：陳先生13360533550
電話：0755-838679890755-82795565
地址：深圳公司：深圳市福田區(qū)華富路航都大廈11F
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
17316
INFINEON/英飛凌
MODULE
22+
-
原廠原裝現(xiàn)貨

BSM181R
深圳市興合盛科技發(fā)展有限公司
深圳市興合盛科技發(fā)展有限公司
聯(lián)系人：銷售經(jīng)理：馬先生
電話：0755-8335078918923859456
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華航社區(qū)中航路都會B座10012M
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
26550
正品封裝
23+
-
正規(guī)商現(xiàn)貨供應(yīng)

BSM181R
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
5000
SIEMENS
模塊
-
假一罰十，百分百原裝正品，質(zhì)量保障

BSM181R
深圳市億聯(lián)芯電子科技有限公司
深圳市億聯(lián)芯電子科技有限公司
聯(lián)系人：吳經(jīng)理
電話：18138401919
地址：深圳市福田區(qū)賽格科技園4棟中7樓7B30
69880
EUPEC
MODULE
2021+
-
★★正規(guī)渠道★原廠正品最新貨源現(xiàn)貨供應(yīng)★...

BSM181R
深圳市科思奇電子科技有限公司
深圳市科思奇電子科技有限公司
聯(lián)系人：林小姐/歐陽先生
電話：0755-832450508278593918923762408微信同號
地址：深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)501棟1109-1110室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
6000
SIEMENS
原廠原裝
23+
-
只做原裝正品

BSM181R
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯(lián)系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
865000
SIEMENS
MODULE
最新批號
-
一級代理.原裝特價現(xiàn)貨！

BSM181R
深圳市澳億芯電子科技有限公司
深圳市澳億芯電子科技有限公司
聯(lián)系人：廖R
電話：13163738578
地址：龍崗區(qū)坂田五和大道山海大廈c 棟707
9000
SIEMENS
原廠原裝
19+
-
只做原裝正品假一賠十為客戶做到零風(fēng)險

BSM181R
深圳市鴻昌盛電子科技有限公司
深圳市鴻昌盛電子科技有限公司
聯(lián)系人：陳小姐
電話：13428937514
地址：門市: 新華強(qiáng)廣場2樓公司: 深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路賽格廣場58樓5813室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
251
SIEMENS
模塊
2010+
-
香港原裝現(xiàn)貨 3-5天

1/1頁 40條/頁共27條
1

您是不是要找： BSM1-C BSM1-X BSM200GB60DLC BSM200GB60DLCHOSA1 BSM2-C BSM2-X BSM300D12P2E001 BSM30GD60DLCE3224 BSM35GD120DN2

BSM181R PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準(zhǔn)

BSM181R PDF下載

制造商
INFINEON
制造商全稱
Infineon Technologies AG
功能描述
SIMOPAC Module (Power module Single switch N channel Enhancement mode)

BSM181R 技術(shù)參數(shù)

BSM180D12P3C007 功能描述:SIC POWER MODULE 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):在售 FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:1200V（1.2kV）電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:- 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5.6V @ 50mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:900pF @ 10V 功率 - 最大值:880W 工作溫度:175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:模塊供應(yīng)商器件封裝:模塊標(biāo)準(zhǔn)包裝:12 BSM180D12P2C101 功能描述:MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULE 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個 N 通道（半橋） FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:1200V（1.2kV）電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:180A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 35.2mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:23000pF @ 10V 功率 - 最大值:1130W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:* 封裝/外殼:模塊供應(yīng)商器件封裝:模塊標(biāo)準(zhǔn)包裝:12 BSM150GD60DLC 功能描述:IGBT BSM150GD60DLCBOSA1 制造商:infineon technologies 系列:- 零件狀態(tài):停產(chǎn) IGBT 類型:NPT 配置:單一電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:180A 功率 - 最大值:570W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.45V @ 15V，150A 電流 - 集電極截止（最大值）:500μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:6.5nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:模塊供應(yīng)商器件封裝:模塊標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 BSM150GB60DLCHOSA1 功能描述:IGBT MODULE 600V 180A 制造商:infineon technologies 系列:- 零件狀態(tài):在售 IGBT 類型:- 配置:單一電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:180A 功率 - 最大值:595W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.45V @ 15V，150A 電流 - 集電極截止（最大值）:500μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:6.5nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:底座安裝封裝/外殼:模塊供應(yīng)商器件封裝:模塊標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 BSM120D12P2C005 功能描述:MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULE 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個 N 通道（半橋） FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:1200V（1.2kV）電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:120A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.7V @ 22mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:14000pF @ 10V 功率 - 最大值:780W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:* 封裝/外殼:模塊供應(yīng)商器件封裝:模塊標(biāo)準(zhǔn)包裝:12 BSM35GP120 BSM35GP120BOSA1 BSM50GB170DN2HOSA1 BSM50GB60DLCHOSA1 BSM50GD120DN2G BSM50GP120 BSM50GP120BOSA1 BSM6-L BSM6-X BSM75GB170DN2HOSA1 BSM75GB60DLCHOSA1 BSMN1-3K BSMN2-3K BSMV1BX-CY BSMV1BX-L BSMV1BX-LY BSMV1BX-XY BSMV2BX-C