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BS211VITON

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  • O RING VITON INNEN 13/16 ZOLL Inhalt pro Packung
BS211VITON 技術(shù)參數(shù)
  • BS-21-10-W 功能描述:CONN SPADE TERM 18-22AWG #10 制造商:3m 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 端子類型:帶法蘭 螺柱/凸片尺寸:10 接線柱 寬度 - 外邊緣:0.300"(7.62mm) 長度 - 總:0.650"(16.51mm) 安裝類型:自由懸掛 端接:壓接 線規(guī):18-22 AWG 絕緣:非絕緣 特性:銅焊縫 顏色:- 觸頭鍍層:- 觸頭材料:- 絕緣層直徑:- 材料 - 絕緣:- 長度 - 環(huán)中心到端子:0.250"(6.35mm) 長度 - 端子:0.250"(6.35mm) 舌簧內(nèi)開口:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 BS-21-10-P 功能描述:Red 10 Stud Spade Terminal Connector Crimp 18-22 AWG 制造商:3m 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 端子類型:帶法蘭 螺柱/凸片尺寸:10 接線柱 寬度 - 外邊緣:0.300"(7.62mm) 長度 - 總:0.850"(21.59mm) 安裝類型:自由懸掛 端接:壓接 線規(guī):18-22 AWG 絕緣:絕緣 特性:對接接縫 顏色:紅 觸頭鍍層:錫 觸頭材料:銅,ETP 絕緣層直徑:0.145"(3.68mm) 材料 - 絕緣:乙烯基 長度 - 環(huán)中心到端子:0.250"(6.35mm) 長度 - 端子:0.450"(11.43mm) 舌簧內(nèi)開口:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 BS2103F-E2 功能描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOP 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 驅(qū)動配置:半橋 通道類型:獨(dú)立式 驅(qū)動器數(shù):2 柵極類型:IGBT,N 溝道 MOSFET 電壓 - 電源:10 V ~ 18 V 邏輯電壓?- VIL,VIH:1V,2.6V 電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):60mA,130mA 輸入類型:非反相 高壓側(cè)電壓 - 最大值(自舉):600V 上升/下降時(shí)間(典型值):200ns,100ns 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC(0.173",4.40mm 寬) 供應(yīng)商器件封裝:8-SOP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BS2101F-E2 功能描述:600V HIGH VOLTAGE HIGH & LOW-SID 制造商:rohm semiconductor 系列:* 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC(0.173",4.40mm 寬) 供應(yīng)商器件封裝:8-SOP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BS2100F-E2 功能描述:IC DVR IGBT/MOSFET 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):Not For New Designs 驅(qū)動配置:半橋 通道類型:獨(dú)立式 驅(qū)動器數(shù):2 柵極類型:N 溝道 MOSFET 電壓 - 電源:10 V ~ 18 V 邏輯電壓?- VIL,VIH:1V,2.6V 電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):60mA,130mA 輸入類型:非反相 高壓側(cè)電壓 - 最大值(自舉):600V 上升/下降時(shí)間(典型值):200ns,100ns 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC(0.173",4.40mm 寬) 供應(yīng)商器件封裝:8-SOP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BS-22-10 BS-22-10-P BS-22-6 BS-22-6-P BS-22-6S-P BS-22-8-P BS22-C BS22-M BS-23-10 BS-23-10-P BS2320-7R BS-23-6-P BS-23-8-P BS-2450 BS-250.000MBC-T BS-250.000MCC-T BS250FTA BS250FTC
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