BGW200 NOVA3

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制造商
NXP Semiconductors
功能描述

BGW200 NOVA3 技術(shù)參數(shù)

BGU8M1X 功能描述:RF Amplifier IC LTE, WiMax 1.805GHz ~ 2.17GHz 6-XSON, SOT1232 (1.1x0.7) 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效頻率:1.805GHz ~ 2.17GHz P1dB:- 增益:13.5dB 噪聲系數(shù):0.8dB RF 類型:LTE，WiMax 電壓 - 電源:1.5 V ~ 3.1 V 電流 - 電源:5mA 測試頻率:1.842GHz 封裝/外殼:6-XFDFN 供應(yīng)商器件封裝:6-XSON，SOT1232（1.1x0.7）標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000 BGU8M1UKAZ 功能描述:RF Amplifier IC Cellular 1.8GHz ~ 2.2GHz 6-WLCSP (0.65x0.44) 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效頻率:1.8GHz ~ 2.2GHz P1dB:- 增益:17dB 噪聲系數(shù):0.7dB RF 類型:手機(jī) 電壓 - 電源:1.5 V ~ 3.1 V 電流 - 電源:5mA 測試頻率:2.2GHz 封裝/外殼:6-XFBGA，WLCSP 供應(yīng)商器件封裝:6-WLCSP（0.65x0.44）標(biāo)準(zhǔn)包裝:20,000 BGU8L1X 功能描述:RF Amplifier IC LTE, WiMax 728MHz ~ 960MHz 6-XSON, SOT1232 (1.1x0.7) 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效頻率:728MHz ~ 960MHz P1dB:-3dBm 增益:14.5dB 噪聲系數(shù):0.7dB RF 類型:LTE，WiMax 電壓 - 電源:1.5 V ~ 3.1 V 電流 - 電源:4.6mA 測試頻率:880MHz 封裝/外殼:6-XFDFN 供應(yīng)商器件封裝:6-XSON，SOT1232（1.1x0.7）標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000 BGU8L1UKAZ 功能描述:RF Amplifier IC Cellular 728MHz ~ 960MHz 6-WLCSP (0.65x0.44) 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效頻率:728MHz ~ 960MHz P1dB:- 增益:16dB 噪聲系數(shù):0.7dB RF 類型:手機(jī) 電壓 - 電源:1.5 V ~ 3.1 V 電流 - 電源:4.7mA 測試頻率:- 封裝/外殼:6-XFBGA，WLCSP 供應(yīng)商器件封裝:6-WLCSP（0.65x0.44）標(biāo)準(zhǔn)包裝:20,000 BGU8H1X 功能描述:RF Amplifier IC LTE, WiMax 2.3GHz ~ 2.7GHz 6-XSON, SOT1232 (1.1x0.7) 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效頻率:2.3GHz ~ 2.7GHz P1dB:-3dBm 增益:13dB 噪聲系數(shù):0.9dB RF 類型:LTE，WiMax 電壓 - 電源:1.5 V ~ 3.1 V 電流 - 電源:5mA 測試頻率:2.3GHz 封裝/外殼:6-XFDFN 供應(yīng)商器件封裝:6-XSON，SOT1232（1.1x0.7）標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000 BGY1085A,112 BGY585A,112 BGY587,112 BGY587B,112 BGY588C,112 BGY588N,112 BGY66B,112 BGY67,112 BGY67A,112 BGY68,112 BGY685A,112 BGY687,112 BGY785A,112 BGY787,112 BGY835C,112 BGY883,112 BGY885A,112 BGY885B,112