BFR 183W E6327

配單專家企業(yè)名單

型號
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號
價(jià)格
說明
操作

BFR 183W E6327
深圳市眾芯微電子有限公司
深圳市眾芯微電子有限公司
聯(lián)系人：陳小姐
電話：0755-8320801015711992892
地址：都會軒3607
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
9800
Infineon Technologies
PG-SOT323-3
19+
-
代理直銷！進(jìn)口原裝正品！

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功能描述
射頻雙極小信號晶體管 NPN Silicon RF TRANSISTOR
RoHS
否
制造商
NXP Semiconductors
配置
Single
晶體管極性
NPN
最大工作頻率
7000 MHz
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO
15 V
發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO
2 V
集電極連續(xù)電流
0.15 A
功率耗散
1000 mW
直流集電極/Base Gain hfe Min
最大工作溫度
+ 150 C
封裝 / 箱體
SOT-223
封裝
Reel

BFR 183W E6327 技術(shù)參數(shù)

BFR 183T E6327 功能描述:RF Transistor NPN 12V 65mA 8GHz 250mW Surface Mount PG-SC-75 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:12V 頻率 - 躍遷:8GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時(shí)的典型值）:1.2dB ~ 2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 增益:19.5dB 功率 - 最大值:250mW 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:50 @ 15mA，8V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:65mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-75，SOT-416 供應(yīng)商器件封裝:PG-SC-75 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 BFR 183 E6327 功能描述:RF Transistor NPN 12V 65mA 8GHz 450mW Surface Mount PG-SOT23-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:12V 頻率 - 躍遷:8GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時(shí)的典型值）:0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 增益:17.5dB 功率 - 最大值:450mW 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:70 @ 15mA，8V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:65mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BFR 182W E6327 功能描述:RF Transistor NPN 12V 35mA 8GHz 250mW Surface Mount PG-SOT323-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:12V 頻率 - 躍遷:8GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時(shí)的典型值）:0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 增益:19dB 功率 - 最大值:250mW 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:70 @ 10mA，8V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:35mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT323-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BFR 182T E6327 功能描述:RF Transistor NPN 12V 35mA 8GHz 250mW Surface Mount PG-SC-75 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:12V 頻率 - 躍遷:8GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時(shí)的典型值）:1.2dB ~ 1.9dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 增益:20dB 功率 - 最大值:250mW 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:50 @ 10mA，8V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:35mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-75，SOT-416 供應(yīng)商器件封裝:PG-SC-75 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 BFR 182 E6327 功能描述:RF Transistor NPN 12V 35mA 8GHz 250mW Surface Mount PG-SOT23-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:12V 頻率 - 躍遷:8GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時(shí)的典型值）:0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 增益:12dB ~ 18dB 功率 - 最大值:250mW 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:70 @ 10mA，8V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:35mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BFR 380F E6327 BFR 380T E6327 BFR 460L3 E6327 BFR 705L3RH E6327 BFR 740L3 E6327 BFR 740L3RH E6327 BFR 92P E6327 BFR 92W E6327 BFR 93A E6327 BFR 93AW E6327 BFR 949L3 E6327 BFR 949T E6327 BFR.3K.100.NAS BFR106,215 BFR106E6327HTSA1 BFR10SL3P1 BFR10SL3S1 BFR10SL4P1