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BDW42/D

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  • 功能描述
  • Darlington Complementary Silicon Power Transistors
BDW42/D 技術參數(shù)
  • BDW42 功能描述:TRANS NPN DARL 100V 15A TO-220AB 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):過期 晶體管類型:NPN - 達林頓 電流 - 集電極(Ic)(最大值):15A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):100V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):3V @ 50mA,10A 電流 - 集電極截止(最大值):2mA 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):1000 @ 5A,4V 功率 - 最大值:85W 頻率 - 躍遷:4MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:50 BDW24TU 功能描述:TRANS PNP 45V 6A TO-220 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):過期 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):6A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):45V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):3V @ 60mA,6A 電流 - 集電極截止(最大值):500μA 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):750 @ 2A,3V 功率 - 最大值:50W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220 標準包裝:1,000 BDW24-S 功能描述:TRANS PNP DARL 45V 6A 制造商:bourns inc. 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):過期 晶體管類型:PNP - 達林頓 電流 - 集電極(Ic)(最大值):6A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):45V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):3V @ 60mA,6A 電流 - 集電極截止(最大值):500μA 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):750 @ 2A,3V 功率 - 最大值:2W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220 標準包裝:15,000 BDW24CTU 功能描述:TRANS PNP 100V 6A TO-220 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):過期 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):6A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):100V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):3V @ 60mA,6A 電流 - 集電極截止(最大值):500μA 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):750 @ 2A,3V 功率 - 最大值:50W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220 標準包裝:1,000 BDW24C-S 功能描述:TRANS PNP DARL 100V 6A 制造商:bourns inc. 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):過期 晶體管類型:PNP - 達林頓 電流 - 集電極(Ic)(最大值):6A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):100V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):3V @ 60mA,6A 電流 - 集電極截止(最大值):500μA 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):750 @ 2A,3V 功率 - 最大值:2W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220 標準包裝:15,000 BDW53-S BDW54A-S BDW54B-S BDW54C-S BDW54D-S BDW63A-S BDW63B-S BDW63C-S BDW63D-S BDW64B-S BDW64C-S BDW64D-S BDW64-S BDW73A-S BDW73B-S BDW73C-S BDW74A-S BDW74B-S
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