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北京元坤偉業(yè)科技有限公司
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聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1008室
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
5886
PHI
CAN6
15+
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百分百原裝正品，假一罰十

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北京元坤偉業(yè)科技有限公司
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聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1008室
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
5000
2011
-
假一罰十，百分百原裝正品

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深圳市湘達(dá)電子有限公司
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聯(lián)系人：朱平
電話：0755-83229772-83202753
地址：辦公地址幫我改成深圳市福田區(qū)紅荔路上步工業(yè)區(qū)201棟東座4樓F02室
1071
PHILIPS
原廠
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百分百進(jìn)口原裝現(xiàn)貨，價(jià)格有優(yōu)勢(shì)。

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深圳市華芯盛世科技有限公司
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聯(lián)系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號(hào)）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
865000
PHI
6L
最新批號(hào)
-
一級(jí)代理.原裝特價(jià)現(xiàn)貨！

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深圳市時(shí)興宇電子有限公司
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聯(lián)系人：彭先生
電話：0755-830415598397218513430523058
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北都會(huì)大廈A座19樓19G
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絕對(duì)公司原裝現(xiàn)貨

1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共18條
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制造商
SEME-LAB
制造商全稱
Seme LAB
功能描述
NPN SILICON PLANAR DUAL TRANSISTORS

BCY87 技術(shù)參數(shù)

BCY79-X 功能描述:THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):在售晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:45V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:800mV @ 2.5mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:15nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:380 @ 2mA，5V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:100MHz 工作溫度:-65°C ~ 200°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-206AA，TO-18-3 金屬罐供應(yīng)商器件封裝:TO-18 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 BCY79-VIII 功能描述:THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):在售晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:45V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:800mV @ 2.5mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:15nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:180 @ 2mA，5V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:100MHz 工作溫度:-65°C ~ 200°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-206AA，TO-18-3 金屬罐供應(yīng)商器件封裝:TO-18 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 BCY79-VII 功能描述:THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):在售晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:45V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:800mV @ 2.5mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:15nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:120 @ 2mA，5V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:100MHz 工作溫度:-65°C ~ 200°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-206AA，TO-18-3 金屬罐供應(yīng)商器件封裝:TO-18 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 BCY79-IX 功能描述:THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):在售晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:45V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:800mV @ 2.5mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:15nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:250 @ 2mA，5V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:100MHz 工作溫度:-65°C ~ 200°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-206AA，TO-18-3 金屬罐供應(yīng)商器件封裝:TO-18 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 BCY59-X 功能描述:THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):在售晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:45V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:700mV @ 2.5mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:10nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:380 @ 2mA，5V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:150MHz 工作溫度:-65°C ~ 200°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-206AA，TO-18-3 金屬罐供應(yīng)商器件封裝:TO-18 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 BD00GA3WEFJ-E2 BD00GA3WNUX-TR BD00GA5MEFJ-ME2 BD00GA5WEFJ-E2 BD00GC0MEFJ-LBH2 BD00GC0MEFJ-ME2 BD00GC0WEFJ-E2 BD00HA3MEFJ-LBH2 BD00HA3MEFJ-ME2 BD00HA3WEFJ-E2 BD00HA5MEFJ-ME2 BD00HA5WEFJ-E2 BD00HC0MEFJ-ME2 BD00HC0WEFJ-E2 BD00HC5MEFJ-LBH2 BD00HC5MEFJ-ME2 BD00HC5WEFJ-E2 BD00IA5MEFJ-LBH2