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BCR189L3

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  • 型號
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  • 廠商
  • 封裝
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  • 說明
  • 操作
  • BCR189L3
    BCR189L3

    BCR189L3

  • 深圳市科思奇電子科技有限公司
    深圳市科思奇電子科技有限公司

    聯(lián)系人:林小姐/歐陽先生

    電話:0755-832450508278593918923762408微信同號

    地址:深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)501棟1109-1110室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 5500

  • Infineon

  • SOT0402

  • 20+

  • -
  • 科思奇現(xiàn)貨庫存

  • BCR189L3
    BCR189L3

    BCR189L3

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • Infinoen

  • -
  • 假一罰十,百分百原裝正品

  • 1/1頁 40條/頁 共8條 
  • 1
BCR189L3 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 制造商
  • INFINEON
  • 制造商全稱
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • PNP Silicon Digital Transistor
BCR189L3 技術(shù)參數(shù)
  • BCR185WH6327XTSA1 功能描述:TRANS PREBIAS PNP 0.25W SOT323-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:PNP - 預偏壓 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 電阻器 - 基底(R1)(歐姆):10k 電阻器 - 發(fā)射極基底(R2)(歐姆):47k 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):70 @ 5mA,5V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):300mV @ 500μA,10mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 頻率 - 躍遷:200MHz 功率 - 最大值:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70,SOT-323 供應商器件封裝:PG-SOT323-3 標準包裝:1 BCR185WE6327BTSA1 功能描述:TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT323-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):過期 晶體管類型:PNP - 預偏壓 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 電阻器 - 基底(R1)(歐姆):10k 電阻器 - 發(fā)射極基底(R2)(歐姆):47k 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):70 @ 5mA,5V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):300mV @ 500μA,10mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 頻率 - 躍遷:200MHz 功率 - 最大值:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70,SOT-323 供應商器件封裝:PG-SOT323-3 標準包裝:3,000 BCR185SH6327XTSA1 功能描述:TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):上次購買時間 晶體管類型:2 個 PNP 預偏壓式(雙) 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 電阻器 - 基底(R1)(歐姆):10k 電阻器 - 發(fā)射極基底(R2)(歐姆):47k 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):70 @ 5mA,5V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):300mV @ 500μA,10mA 電流 - 集電極截止(最大值):- 頻率 - 躍遷:200MHz 功率 - 最大值:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-VSSOP,SC-88,SOT-363 供應商器件封裝:PG-SOT363-6 標準包裝:1 BCR185SE6327BTSA1 功能描述:TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):過期 晶體管類型:2 個 PNP 預偏壓式(雙) 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 電阻器 - 基底(R1)(歐姆):10k 電阻器 - 發(fā)射極基底(R2)(歐姆):47k 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):70 @ 5mA,5V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):300mV @ 500μA,10mA 電流 - 集電極截止(最大值):- 頻率 - 躍遷:200MHz 功率 - 最大值:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-VSSOP,SC-88,SOT-363 供應商器件封裝:PG-SOT363-6 標準包裝:3,000 BCR185SB6327XT 功能描述:TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:2 個 PNP 預偏壓式(雙) 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 電阻器 - 基底(R1)(歐姆):10k 電阻器 - 發(fā)射極基底(R2)(歐姆):47k 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):70 @ 5mA,5V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):300mV @ 500μA,10mA 電流 - 集電極截止(最大值):- 頻率 - 躍遷:200MHz 功率 - 最大值:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-VSSOP,SC-88,SOT-363 供應商器件封裝:PG-SOT363-6 標準包裝:30,000 BCR196WH6327XTSA1 BCR198B6327HTLA1 BCR198E6327HTSA1 BCR198E6393HTSA1 BCR198E6433HTMA1 BCR198SE6327BTSA1 BCR198SH6327XTSA1 BCR198SH6827XTSA1 BCR198WE6327BTSA1 BCR198WH6327XTSA1 BCR1AM-12A#C01 BCR1AM-12A#FD0 BCR1AM-8P#B00 BCR1AM-8P#B10 BCR1BM-16A#B00 BCR205WH6327XTSA1 BCR20CM-12LB#BB0 BCR20CM-16LB#BB0
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