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BCR185-E6327

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    BCR185-E6327

    BCR185-E6327

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

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  • INFINEONTECHNOLOGIES

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BCR185-E6327 技術參數
  • BCR183WH6327XTSA1 功能描述:TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT323-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):上次購買時間 晶體管類型:PNP - 預偏壓 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 電阻器 - 基底（R1）（歐姆）:10k 電阻器 - 發(fā)射極基底（R2）（歐姆）:10k 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:30 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 500μA，10mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO） 頻率 - 躍遷:200MHz 功率 - 最大值:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應商器件封裝:PG-SOT323-3 標準包裝:3,000 BCR183WE6327HTSA1 功能描述:TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT323-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過期 晶體管類型:PNP - 預偏壓 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 電阻器 - 基底（R1）（歐姆）:10k 電阻器 - 發(fā)射極基底（R2）（歐姆）:10k 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:30 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 500μA，10mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO） 頻率 - 躍遷:200MHz 功率 - 最大值:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應商器件封裝:PG-SOT323-3 標準包裝:3,000 BCR183UE6327HTSA1 功能描述:TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SC74 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過期 晶體管類型:2 個 PNP 預偏壓式（雙） 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 電阻器 - 基底（R1）（歐姆）:10k 電阻器 - 發(fā)射極基底（R2）（歐姆）:10k 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:30 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 500μA，10mA 電流 - 集電極截止（最大值）:- 頻率 - 躍遷:200MHz 功率 - 最大值:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-74，SOT-457 供應商器件封裝:PG-SC74-6 標準包裝:3,000 BCR183SH6433XTMA1 功能描述:TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過期 晶體管類型:2 個 PNP 預偏壓式（雙） 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 電阻器 - 基底（R1）（歐姆）:10k 電阻器 - 發(fā)射極基底（R2）（歐姆）:10k 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:30 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 500μA，10mA 電流 - 集電極截止（最大值）:- 頻率 - 躍遷:200MHz 功率 - 最大值:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-VSSOP，SC-88，SOT-363 供應商器件封裝:PG-SOT363-6 標準包裝:10,000 BCR183SH6327XTSA1 功能描述:TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):上次購買時間 晶體管類型:2 個 PNP 預偏壓式（雙） 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 電阻器 - 基底（R1）（歐姆）:10k 電阻器 - 發(fā)射極基底（R2）（歐姆）:10k 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:30 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 500μA，10mA 電流 - 集電極截止（最大值）:- 頻率 - 躍遷:200MHz 功率 - 最大值:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-VSSOP，SC-88，SOT-363 供應商器件封裝:PG-SOT363-6 標準包裝:3,000 BCR191WH6327XTSA1 BCR192E6327HTSA1 BCR192E6785HTSA1 BCR192WE6327HTSA1 BCR192WH6327XTSA1 BCR196E6327HTSA1 BCR196WE6327HTSA1 BCR196WH6327XTSA1 BCR198B6327HTLA1 BCR198E6327HTSA1 BCR198E6393HTSA1 BCR198E6433HTMA1 BCR198SE6327BTSA1 BCR198SH6327XTSA1 BCR198SH6827XTSA1 BCR198WE6327BTSA1 BCR198WH6327XTSA1 BCR1AM-12A#C01
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