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B82422-A1103-K100

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  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

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  • 深圳市歐和寧電子有限公司
    深圳市歐和寧電子有限公司

    聯(lián)系人：李先生

    電話：0755-292759351581559886118576729816

    地址：廣東省 深圳市 福田區(qū) 華強北賽格科技園6C18室

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  • 深圳市鴻昌盛電子科技有限公司
    深圳市鴻昌盛電子科技有限公司

    聯(lián)系人：陳小姐

    電話：13428937514

    地址：門市: 新華強廣場2樓公司: 深圳市福田區(qū)華強北路賽格廣場58樓5813室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 110995

  • EPCOS

  • 2014+

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  • 深圳市金嘉旭貿(mào)易有限公司
    深圳市金嘉旭貿(mào)易有限公司

    聯(lián)系人：金

    電話：0755-832599640755-23884416

    地址：中航北苑A座7A5

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B82422-A1103-K100 技術(shù)參數(shù)
  • B82422A1103K100 功能描述:10μH Unshielded Wirewound Inductor 180mA 1.6 Ohm Max 1210 (3225 Metric) 制造商:epcos (tdk) 系列:SIMID 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:10μH 容差:±10% 額定電流:180mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:無屏蔽 DC 電阻（DCR）:1.6 歐姆最大 不同頻率時的 Q 值:27 @ 2.52MHz 頻率 - 自諧振:25MHz 等級:AEC-Q200 工作溫度:-55°C ~ 125°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:1210（3225 公制） 大小/尺寸:0.126" 長 x 0.098" 寬（3.20mm x 2.50mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.083"（2.10mm） 標準包裝:1 B82422A1103J108 功能描述:10μH Unshielded Wirewound Inductor 180mA 1.6 Ohm Max 2-SMD 制造商:epcos (tdk) 系列:SIMID 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:10μH 容差:±5% 額定電流:180mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:無屏蔽 DC 電阻（DCR）:1.6 歐姆最大 不同頻率時的 Q 值:27 @ 2.52MHz 頻率 - 自諧振:25MHz 等級:AEC-Q200 工作溫度:-55°C ~ 125°C 頻率 - 測試:2.52MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:2-SMD 大小/尺寸:0.126" 長 x 0.098" 寬（3.20mm x 2.50mm） 高度 - 安裝（最大值）:* 標準包裝:8,000 B82422A1103J100 功能描述:10μH Unshielded Wirewound Inductor 180mA 1.6 Ohm Max 1210 (3225 Metric) 制造商:epcos (tdk) 系列:SIMID 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:10μH 容差:±5% 額定電流:180mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:無屏蔽 DC 電阻（DCR）:1.6 歐姆最大 不同頻率時的 Q 值:27 @ 2.52MHz 頻率 - 自諧振:25MHz 等級:AEC-Q200 工作溫度:-55°C ~ 125°C 頻率 - 測試:2.52MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:1210（3225 公制） 大小/尺寸:0.126" 長 x 0.098" 寬（3.20mm x 2.50mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.079"（2.00mm） 標準包裝:1 B82422A1102K108 功能描述:1μH Unshielded Wirewound Inductor 380mA 340 mOhm Max 2-SMD 制造商:epcos (tdk) 系列:SIMID 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:1μH 容差:±10% 額定電流:380mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:無屏蔽 DC 電阻（DCR）:340 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:20 @ 7.96MHz 頻率 - 自諧振:320MHz 等級:AEC-Q200 工作溫度:-55°C ~ 125°C 頻率 - 測試:7.96MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:2-SMD 大小/尺寸:0.126" 長 x 0.098" 寬（3.20mm x 2.50mm） 高度 - 安裝（最大值）:* 標準包裝:8,000 B82422A1102K100 功能描述:1μH Unshielded Wirewound Inductor 380mA 340 mOhm Max 1210 (3225 Metric) 制造商:epcos (tdk) 系列:SIMID 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:1μH 容差:±10% 額定電流:380mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:無屏蔽 DC 電阻（DCR）:340 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:20 @ 7.96MHz 頻率 - 自諧振:320MHz 等級:AEC-Q200 工作溫度:-55°C ~ 125°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:1210（3225 公制） 大小/尺寸:0.126" 長 x 0.098" 寬（3.20mm x 2.50mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.083"（2.10mm） 標準包裝:1 B82422A1152J100 B82422A1152K100 B82422A1152K108 B82422A1153J100 B82422A1153K100 B82422A1182J100 B82422A1182K100 B82422A1183K100 B82422A1222J100 B82422A1222K100 B82422A1223J100 B82422A1223K100 B82422A1223K108 B82422A1272J100 B82422A1272J108 B82422A1272K100 B82422A1273J100 B82422A1273K100
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