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APTSM120TAM33CTPAG

配單專家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
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  • 說明
  • 操作
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  • 1
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  • 功能描述
  • POWER MODULE - SIC
  • 制造商
  • microsemi corporation
  • 系列
  • -
  • 包裝
  • 散裝
  • 零件狀態(tài)
  • 有效
  • FET 類型
  • 6 N-溝道(3 相橋)
  • FET 功能
  • 碳化硅 (SiC)
  • 漏源極電壓(Vdss)
  • 1200V(1.2kV)
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí))
  • 112A(Tc)
  • 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值)
  • 33 毫歐 @ 60A,20V
  • 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值)
  • 3V @ 3mA
  • 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg)
  • 408nC @ 20V
  • 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)
  • 7680pF @ 1000V
  • 功率 - 最大值
  • 714W
  • 工作溫度
  • -40°C ~ 175°C(TJ)
  • 安裝類型
  • 底座安裝
  • 封裝/外殼
  • SP6
  • 供應(yīng)商器件封裝
  • SP6
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 10
APTSM120TAM33CTPAG 技術(shù)參數(shù)
  • APTSM120AM55CT1AG 功能描述:POWER MODULE - SIC 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個(gè) N 通道(雙),肖特基 FET 功能:碳化硅 (SiC) 漏源極電壓(Vdss):1200V(1.2kV) 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):74A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):50 毫歐 @ 40A,20V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):3V @ 2mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):272nC @ 20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):5120pF @ 1000V 功率 - 最大值:470W 工作溫度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP1 供應(yīng)商器件封裝:SP1 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 APTSM120AM25CT3AG 功能描述:POWER MODULE - SIC 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個(gè) N 通道(雙),肖特基 FET 功能:碳化硅 (SiC) 漏源極電壓(Vdss):1200V(1.2kV) 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):148A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):25 毫歐 @ 80A,20V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):3V @ 4mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):544nC @ 20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):10200pF @ 1000V 功率 - 最大值:937W 工作溫度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP3 供應(yīng)商器件封裝:SP3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 APTSM120AM14CD3AG 功能描述:POWER MODULE - SIC 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:* 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個(gè) N 通道(雙),肖特基 FET 功能:碳化硅 (SiC) 漏源極電壓(Vdss):1200V(1.2kV) 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):337A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):11 毫歐 @ 180A,20V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):3V @ 9mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):1224nC @ 20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):23000pF @ 1000V 功率 - 最大值:2140W 工作溫度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:* 封裝/外殼:* 供應(yīng)商器件封裝:* 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 APTSM120AM09CD3AG 功能描述:POWER MODULE - SIC 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態(tài):有效 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 APTSM120AM08CT6AG 功能描述:POWER MODULE - SIC 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個(gè) N 通道(雙),肖特基 FET 功能:碳化硅 (SiC) 漏源極電壓(Vdss):1200V(1.2kV) 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):370A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):10 毫歐 @ 200A,20V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):3V @ 10mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):1360nC @ 20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):* 功率 - 最大值:2300W 工作溫度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP6 供應(yīng)商器件封裝:SP6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 AP-UM001GR13CS-2T AP-UM001GR23CS-2NRT AP-UM001GR23CS-2T AP-UM001GR31CG-2MSNRT AP-UM001GR31CG-2MST AP-UM001GR40CG-2NRT AP-UM001GR40CG-2T AP-UM001GT13ES-2MHNRT AP-UM001GT13ES-2MHT AP-UM001GT13ES-2MSNRT AP-UM001GT13ES-2MST AP-UM001GT13ES-2NRT AP-UM001GT13ES-2T AP-UM001GT23ES-2NRT AP-UM001GT23ES-2T AP-UM001GT31EG-2MSNRT AP-UM001GT31EG-2MST AP-UM001GT40EG-2NRT
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