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APTGS50X170E3G
深圳市中平科技有限公司
深圳市中平科技有限公司
聯(lián)系人：賴先生
電話：0755-8394638513632637322
地址：深圳市福田區(qū)深南中路2070號(hào)電子科技大廈A座27樓2702號(hào)
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
170
APT
50A/1700V/IGBT/6U
2024+
-
全新現(xiàn)貨價(jià)格優(yōu)勢

APTGS50X170E3G
深圳市科思奇電子科技有限公司
深圳市科思奇電子科技有限公司
聯(lián)系人：林小姐/歐陽先生
電話：0755-832450508278593918923762408微信同號(hào)
地址：深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)501棟1109-1110室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
6000
APT
原廠原裝
23+
-
只做原裝正品

APTGS50X170E3
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1008室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
5000
APT
原廠封裝
15+
-
原裝正品，假一罰十

APTGS50X170E3
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司
聯(lián)系人：謝小姐/鐘先生/陳先生/陳小姐
電話：0755-88608801多線17727932378
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北華強(qiáng)花園B9F
9600
APT
價(jià)格優(yōu)勢
17+
-
原裝正品。優(yōu)勢供應(yīng)

APTGS50X170E3
無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司
無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司
聯(lián)系人：張小姐
電話：15961889159
地址：江蘇省無錫市新區(qū)新梅路68號(hào)
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
1000
isc/固電半導(dǎo)體
E122X62-21L
24+
-
國產(chǎn)品牌，替代進(jìn)口

APTGS50X170E3
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯(lián)系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號(hào)）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
86530
APT
MODULE
最新批號(hào)
-
代理此型號(hào)，原裝正品現(xiàn)貨??！

APTGS50X170E3G
深圳市澳億芯電子科技有限公司
深圳市澳億芯電子科技有限公司
聯(lián)系人：廖R
電話：13163738578
地址：龍崗區(qū)坂田五和大道山海大廈c 棟707
9000
APT
原廠原裝
19+
-
只做原裝正品假一賠十為客戶做到零風(fēng)險(xiǎn)

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制造商
ADPOW
制造商全稱
Advanced Power Technology
功能描述
3 Phase bridge NPT IGBT Power Module

APTGS50X170E3 技術(shù)參數(shù)

APTGLQ80HR120CT3G 功能描述:PWR MOD PHASE LEG/DUAL CE SP3F 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):在售 IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:150A 功率 - 最大值:500W 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.4V @ 15V，80A 電流 - 集電極截止（最大值）:150μA 不同?Vce 時(shí)的輸入電容（Cies）:4.6nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:是工作溫度:-40°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:SP3 供應(yīng)商器件封裝:SP3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTGLQ75H65T1G 功能描述:PWR MOD IGBT4 650V 150A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):在售 IGBT 類型:溝槽型場截止配置:全橋電壓 - 集射極擊穿（最大值）:650V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:150A 功率 - 最大值:250W 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.3V @ 15V，75A 電流 - 集電極截止（最大值）:100μA 不同?Vce 時(shí)的輸入電容（Cies）:4.62nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:是工作溫度:-40°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:SP1 供應(yīng)商器件封裝:SP1 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTGLQ75H120TG 功能描述:POWER MODULE - IGBT 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):在售 IGBT 類型:溝槽型場截止配置:全橋電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:130A 功率 - 最大值:385W 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.4V @ 15V，75A 電流 - 集電極截止（最大值）:50μA 不同?Vce 時(shí)的輸入電容（Cies）:4.4nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:是工作溫度:-40°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:模塊供應(yīng)商器件封裝:SP4 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTGLQ75H120T3G 功能描述:PWR MOD IGBT4 1200V 130A SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):在售 IGBT 類型:溝槽型場截止配置:全橋電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:130A 功率 - 最大值:385W 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.4V @ 15V，75A 電流 - 集電極截止（最大值）:50μA 不同?Vce 時(shí)的輸入電容（Cies）:4.4nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:是工作溫度:-40°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:SP1 供應(yīng)商器件封裝:SP1 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTGLQ600A65T6G 功能描述:PWR MOD IGBT4 650V 1200A SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):在售 IGBT 類型:溝槽型場截止配置:半橋電壓 - 集射極擊穿（最大值）:650V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1200A 功率 - 最大值:2000W 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.4V @ 15V，600A 電流 - 集電極截止（最大值）:600μA 不同?Vce 時(shí)的輸入電容（Cies）:36.6nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:是工作溫度:-40°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:SP6 供應(yīng)商器件封裝:SP6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTGT100BB60T3G APTGT100DA120D1G APTGT100DA120T1G APTGT100DA120TG APTGT100DA170D1G APTGT100DA170TG APTGT100DA60T1G APTGT100DA60TG APTGT100DDA60T3G APTGT100DH120TG APTGT100DH170G APTGT100DH60T3G APTGT100DH60TG APTGT100DSK60T3G APTGT100DU120TG APTGT100DU170TG APTGT100DU60TG APTGT100H120G