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APT58F80J

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
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  • APT58F80J
    APT58F80J

    APT58F80J

  • 深圳市興合盛科技發(fā)展有限公司
    深圳市興合盛科技發(fā)展有限公司

    聯(lián)系人：銷售經(jīng)理：馬先生

    電話：0755-8335078918923859456

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華航社區(qū)中航路都會B座10012M

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 26550

  • MICROSEMI

  • 正品封裝

  • 23+

  • -

  • 正規(guī)商現(xiàn)貨供應(yīng)

  • APT58F80J
    APT58F80J

    APT58F80J

  • 深圳市億聯(lián)芯電子科技有限公司
    深圳市億聯(lián)芯電子科技有限公司

    聯(lián)系人：吳經(jīng)理

    電話：18138401919

    地址：深圳市福田區(qū)賽格科技園4棟中7樓7B30

  • 69880

  • MICROSEMI

  • MODULE

  • 2021+

  • -

  • ★★正規(guī)渠道★原廠正品最新貨源現(xiàn)貨供應(yīng)★...

  • APT58F80J
    APT58F80J

    APT58F80J

  • 深圳市科思奇電子科技有限公司
    深圳市科思奇電子科技有限公司

    聯(lián)系人：林小姐/歐陽先生

    電話：0755-832450508278593918923762408微信同號

    地址：深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)501棟1109-1110室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 6000

  • MICROSEMI

  • 原廠原裝

  • 23+

  • -

  • 只做原裝正品

  • APT58F80J
    APT58F80J

    APT58F80J

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 86530

  • MICROSEMI

  • MODULE

  • 最新批號

  • -

  • 代理此型號，原裝正品現(xiàn)貨??！

  • APT58F80J
    APT58F80J

    APT58F80J

  • 深圳市澳億芯電子科技有限公司
    深圳市澳億芯電子科技有限公司

    聯(lián)系人：廖R

    電話：13163738578

    地址：龍崗區(qū)坂田五和大道山海大廈c 棟707

  • 9000

  • MICROSEMI

  • 原廠原裝

  • 19+

  • -

  • 只做原裝正品假一賠十為客戶做到零風(fēng)險(xiǎn)

  • 1/1頁 40條/頁 共4條 
  • 1
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APT58F80J 技術(shù)參數(shù)
  • APT58F50J 功能描述:MOSFET N-CH 500V 58A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:58A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:65 毫歐 @ 42A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:340nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:13500pF @ 25V 功率 - 最大值:540W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商器件封裝:ISOTOP? 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT56M60L 功能描述:MOSFET N-CH 600V 56A TO-264 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:60A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:130 毫歐 @ 28A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:280nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:11300pF @ 25V 功率 - 最大值:1040W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-264-3，TO-264AA 供應(yīng)商器件封裝:TO-264 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT56M60B2 功能描述:MOSFET N-CH 600V 56A T-MAX 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:60A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:130 毫歐 @ 28A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:280nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:11300pF @ 25V 功率 - 最大值:1040W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 變式 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 [B] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT56M50L 功能描述:MOSFET N-CH 500V 56A TO-264 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:56A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:100 毫歐 @ 28A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:220nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:8800pF @ 25V 功率 - 最大值:780W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-264-3，TO-264AA 供應(yīng)商器件封裝:TO-264 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT56M50B2 功能描述:MOSFET N-CH 500V 56A T-MAX 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:56A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:100 毫歐 @ 28A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:220nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:8800pF @ 25V 功率 - 最大值:780W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 變式 供應(yīng)商器件封裝:T-MAX? 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT6013LLLG APT6017LFLLG APT6017LLLG APT6030BN APT6040BN APT6040BNG APT60D100BG APT60D100LCTG APT60D100SG APT60D120BG APT60D120SG APT60D20BG APT60D20LCTG APT60D30BG APT60D30LCTG APT60D40BG APT60D40LCTG APT60D60BG
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