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APT50N50

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  • APT50N50
    APT50N50

    APT50N50

  • 北京首天偉業(yè)科技有限公司
    北京首天偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址: 廣東省深圳市福田區(qū)華強北街道電子科技大廈C座23E

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • N/A

  • -
  • 假一罰十,百分百原裝正品

  • APT50N50JVR
    APT50N50JVR

    APT50N50JVR

  • 深圳市時興宇電子有限公司
    深圳市時興宇電子有限公司

    聯(lián)系人:彭先生

    電話:0755-830415598397218513430523058

    地址:深圳市福田區(qū)華強北都會大廈A座19樓19G

  • 9766

  • APT

  • 模塊

  • 12+

  • -
  • 絕對公司原裝現(xiàn)貨

  • 1/1頁 40條/頁 共8條 
  • 1
APT50N50 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
APT50N50 技術(shù)參數(shù)
  • APT50MC120JCU2 功能描述:MOSFET N-CH 1200V SOT227 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):1200V(1.2kV) 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):71A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):34 毫歐 @ 50A,20V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.3V @ 1mA(標準) 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):179nC @ 20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2980pF @ 1000V 功率 - 最大值:300W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應(yīng)商器件封裝:SOT-227 標準包裝:1 APT50M75JLLU3 功能描述:MOSFET N-CH 500V 51A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):500V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):51A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):75 毫歐 @ 25.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):123nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):5590pF @ 25V 功率 - 最大值:290W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應(yīng)商器件封裝:SOT-227 標準包裝:1 APT50M75JLLU2 功能描述:MOSFET N-CH 500V 51A SOT227 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):500V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):51A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):75 毫歐 @ 25.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):123nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):5590pF @ 25V 功率 - 最大值:290W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應(yīng)商器件封裝:SOT-227 標準包裝:1 APT50M75B2LLG 功能描述:MOSFET N-CH 500V 57A T-MAX 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):500V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):57A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):75 毫歐 @ 28.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):125nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):5590pF @ 25V 功率 - 最大值:570W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 變式 供應(yīng)商器件封裝:T-MAX? [B2] 標準包裝:30 APT50M65LLLG 功能描述:MOSFET N-CH 500V 67A TO-264 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):500V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):67A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):65 毫歐 @ 33.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):141nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):7010pF @ 25V 功率 - 最大值:694W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-264-3,TO-264AA 供應(yīng)商器件封裝:TO-264 [L] 標準包裝:1 APT5518BFLLG APT55M50JFLL APT55M65JFLL APT56F50B2 APT56F50L APT56F60B2 APT56F60L APT56M50B2 APT56M50L APT56M60B2 APT56M60L APT58F50J APT58M50J APT58M50JCU2 APT58M50JU2 APT58M50JU3 APT58M80J APT58MJ50J
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