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APT35GP120JFD2

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  • APT35GP120JFD2
    APT35GP120JFD2

    APT35GP120JFD2

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • APT

  • 原廠封裝

  • 15+

  • -

  • 原裝正品，假一罰十

  • APT35GP120JFD2
    APT35GP120JFD2

    APT35GP120JFD2

  • 深圳市中平科技有限公司
    深圳市中平科技有限公司

    聯(lián)系人：賴先生

    電話：0755-8394638513632637322

    地址：深圳市福田區(qū)深南中路2070號電子科技大廈A座27樓2702號

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 13430

  • APT

  • 直插/貼片

  • 2024+

  • -

  • 代理商庫房現(xiàn)貨

  • APT35GP120JFD2
    APT35GP120JFD2

    APT35GP120JFD2

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • APT

  • TO

  • 07/08+

  • -

  • 假一罰十，百分百原裝正品

  • APT35GP120JFD2
    APT35GP120JFD2

    APT35GP120JFD2

  • 深圳市一線半導(dǎo)體有限公司
    深圳市一線半導(dǎo)體有限公司

    聯(lián)系人：謝小姐/鐘先生/陳先生/陳小姐

    電話：0755-88608801多線17727932378

    地址：深圳市福田區(qū)華強北華強花園B9F

  • 9600

  • APT

  • 價格優(yōu)勢

  • 17+

  • -

  • 原裝正品。優(yōu)勢供應(yīng)

  • 1/1頁 40條/頁 共7條 
  • 1
APT35GP120JFD2 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準(zhǔn)
APT35GP120JFD2 技術(shù)參數(shù)
  • APT35GP120JDQ2 功能描述:IGBT Module PT Single 1200V 64A 284W Chassis Mount ISOTOP? 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:64A 功率 - 最大值:284W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:3.9V @ 15V，35A 電流 - 集電極截止（最大值）:350μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:3.24nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:ISOTOP 供應(yīng)商器件封裝:ISOTOP? 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT35GP120J 功能描述:IGBT Module PT Single 1200V 64A 284W Chassis Mount ISOTOP? 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:64A 功率 - 最大值:284W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:3.9V @ 15V，35A 電流 - 集電極截止（最大值）:250μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:3.24nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:ISOTOP 供應(yīng)商器件封裝:ISOTOP? 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT35GP120BG 功能描述:IGBT PT 1200V 96A 543W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:PT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:96A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):140A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:3.9V @ 15V，35A 功率 - 最大值:543W 開關(guān)能量:750μJ（開），680μJ（關(guān)） 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:150nC 25°C 時 Td（開/關(guān)）值:16ns/94ns 測試條件:600V，35A，5 歐姆，15V 反向恢復(fù)時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 [B] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT35GP120B2DQ2G 功能描述:IGBT PT 1200V 96A 543W Through Hole 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:PT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:96A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):140A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:3.9V @ 15V，35A 功率 - 最大值:543W 開關(guān)能量:750μJ（開），680μJ（關(guān)） 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:150nC 25°C 時 Td（開/關(guān)）值:16ns/95ns 測試條件:600V，35A，4.3 歐姆，15V 反向恢復(fù)時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 變式 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:* 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT35GN120L2DQ2G 功能描述:IGBT NPT, Trench Field Stop 1200V 94A 379W Through Hole 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:NPT，溝槽型場截止 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:94A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):105A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.1V @ 15V，35A 功率 - 最大值:379W 開關(guān)能量:2.315mJ（關(guān)） 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:220nC 25°C 時 Td（開/關(guān)）值:24ns/300ns 測試條件:800V，35A，2.2 歐姆，15V 反向恢復(fù)時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-264-3，TO-264AA 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:* 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT38F50J APT38F80B2 APT38F80L APT38M50J APT38N60BC6 APT38N60SC6 APT39F60J APT39M60J APT40DC120HJ APT40DC60HJ APT40DQ100BCTG APT40DQ100BG APT40DQ120BCTG APT40DQ120BG APT40DQ60BCTG APT40DQ60BG APT40DR160HJ APT40DS04HJ
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