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APT35GN120SG/TR

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  • APT35GN120SG/TR
    APT35GN120SG/TR

    APT35GN120SG/TR

  • 深圳市思諾康科技有限公司
    深圳市思諾康科技有限公司

    聯(lián)系人:張小姐/Vivianvi

    電話:0755-83276452

    地址:坂田坂雪崗大道中興路105號儒駿大廈5樓503室

  • 9900

  • Microchip Technology

  • TO-268-3

  • 23+

  • -
  • 微芯專營優(yōu)勢產(chǎn)品

  • APT35GN120SG/TR
    APT35GN120SG/TR

    APT35GN120SG/TR

  • 深圳市瑞智芯科技有限公司
    深圳市瑞智芯科技有限公司

    聯(lián)系人:朱先生

    電話:0755-82999903

    地址:深圳市福田區(qū)中航路42號中航北苑大廈C座6C3

  • 1000

  • MICROCHIP

  • 19+

  • -
  • 瑞智芯 只有原裝

  • 1/1頁 40條/頁 共40條 
  • 1
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APT35GN120SG/TR 技術(shù)參數(shù)
  • APT35GN120L2DQ2G 功能描述:IGBT NPT, Trench Field Stop 1200V 94A 379W Through Hole 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:NPT,溝槽型場截止 電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):94A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):105A 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):2.1V @ 15V,35A 功率 - 最大值:379W 開關(guān)能量:2.315mJ(關(guān)) 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:220nC 25°C 時 Td(開/關(guān))值:24ns/300ns 測試條件:800V,35A,2.2 歐姆,15V 反向恢復(fù)時間(trr):- 封裝/外殼:TO-264-3,TO-264AA 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:* 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT35GN120BG 功能描述:IGBT NPT, Trench Field Stop 1200V 94A 379W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:NPT,溝槽型場截止 電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):94A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):105A 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):2.1V @ 15V,35A 功率 - 最大值:379W 開關(guān)能量:2.315mJ(關(guān)) 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:220nC 25°C 時 Td(開/關(guān))值:24ns/300ns 測試條件:800V,35A,2.2 歐姆,15V 反向恢復(fù)時間(trr):- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 [B] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT35GA90BD15 功能描述:IGBT PT 900V 63A 290W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:PT 電壓 - 集射極擊穿(最大值):900V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):63A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):105A 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):3.1V @ 15V,18A 功率 - 最大值:290W 開關(guān)能量:642μJ(開),382μJ(關(guān)) 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:84nC 25°C 時 Td(開/關(guān))值:12ns/104ns 測試條件:600V,18A,10 歐姆,15V 反向恢復(fù)時間(trr):- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 [B] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT35GA90B 功能描述:IGBT PT 900V 63A 290W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:PT 電壓 - 集射極擊穿(最大值):900V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):63A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):105A 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):3.1V @ 15V,18A 功率 - 最大值:290W 開關(guān)能量:642μJ(開),382μJ(關(guān)) 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:84nC 25°C 時 Td(開/關(guān))值:12ns/104ns 測試條件:600V,18A,10 歐姆,15V 反向恢復(fù)時間(trr):- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 [B] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT35DL120HJ 功能描述:Bridge Rectifier Single Phase 1200V 35A Chassis, Stud Mount 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 二極管類型:單相 電壓 - 峰值反向(最大值):1200V 電流 - DC 正向(If):35A 安裝類型:底座,接線柱安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應(yīng)商器件封裝:* 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT37F50B APT37F50S APT37M100B2 APT37M100L APT38F50J APT38F80B2 APT38F80L APT38M50J APT38N60BC6 APT38N60SC6 APT39F60J APT39M60J APT40DC120HJ APT40DC60HJ APT40DQ100BCTG APT40DQ100BG APT40DQ120BCTG APT40DQ120BG
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