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APT34M60S

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應商
  • 數量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • APT34M60S
    APT34M60S

    APT34M60S

  • 深圳市思諾康科技有限公司
    深圳市思諾康科技有限公司

    聯(lián)系人:張小姐/Vivianvi

    電話:0755-83276452

    地址:坂田坂雪崗大道中興路105號儒駿大廈5樓503室

  • 9900

  • Microchip Technology

  • TO-268-3

  • 23+

  • -
  • 微芯專營優(yōu)勢產品

  • APT34M60S
    APT34M60S

    APT34M60S

  • 深圳市瑞智芯科技有限公司
    深圳市瑞智芯科技有限公司

    聯(lián)系人:朱先生

    電話:0755-82999903

    地址:深圳市福田區(qū)中航路42號中航北苑大廈C座6C3

  • 1000

  • MICROCHIP

  • 17+

  • -
  • 瑞智芯 只有原裝

  • APT34M60S
    APT34M60S

    APT34M60S

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • APT

  • D3

  • 最新批號

  • -
  • 代理此型號,原裝正品現(xiàn)貨!

  • APT34M60S
    APT34M60S

    APT34M60S

  • 深圳市一線半導體有限公司
    深圳市一線半導體有限公司

    聯(lián)系人:謝小姐/鐘先生/陳先生/陳小姐

    電話:0755-88608801多線17727932378

    地址:深圳市福田區(qū)華強北華強花園B9F

  • 9600

  • D3

  • APT(MICROSEMI)

  • 17+

  • -
  • 原裝正品。優(yōu)勢供應

  • 1/1頁 40條/頁 共3條 
  • 1
APT34M60S PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 制造商
  • MICROSEMI
  • 制造商全稱
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • N-Channel MOSFET
APT34M60S 技術參數
  • APT34M60B 功能描述:MOSFET N-CH 600V 36A TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):36A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):190 毫歐 @ 17A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):165nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):6640pF @ 25V 功率 - 最大值:624W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商器件封裝:TO-247 [B] 標準包裝:1 APT34M120J 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 34A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):1200V(1.2kV) 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):34A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):300 毫歐 @ 25A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):560nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):18200pF @ 25V 功率 - 最大值:960W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應商器件封裝:SOT-227 標準包裝:1 APT34F60BG 功能描述:MOSFET N-CH 600V 34A TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包裝:管件 零件狀態(tài):停產 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):34A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):210 毫歐 @ 17A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):165nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):6640pF @ 25V 功率 - 最大值:624W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商器件封裝:TO-247-3 標準包裝:30 APT34F60B 功能描述:MOSFET N-CH 600V 34A TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):36A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):210 毫歐 @ 17A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):165nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):6640pF @ 25V 功率 - 最大值:624W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商器件封裝:TO-247 [B] 標準包裝:1 APT34F100L 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 35A TO264 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):1000V(1kV) 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):35A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):400 毫歐 @ 18A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):305nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):9835pF @ 25V 功率 - 最大值:1135W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-264-3,TO-264AA 供應商器件封裝:TO-264 [L] 標準包裝:1 APT35GP120J APT35GP120JDQ2 APT35GT120JU2 APT35GT120JU3 APT36GA60B APT36GA60BD15 APT36N90BC3G APT37F50B APT37F50S APT37M100B2 APT37M100L APT38F50J APT38F80B2 APT38F80L APT38M50J APT38N60BC6 APT38N60SC6 APT39F60J
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