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APT25GP90BDQ2G

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    APT25GP90BDQ2G

    APT25GP90BDQ2G

  • 深圳市琦凌凱科技有限公司
    深圳市琦凌凱科技有限公司

    聯(lián)系人:彭先生

    電話:1331648214918276240346

    地址:深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道荔村社區(qū)振興路120號(hào)賽格科技園4棟中10層10A19

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 6000

  • APT

  • TO-247B

  • 22+

  • -
  • 十年配單,只做原裝

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共3條 
  • 1
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APT25GP90BDQ2G 技術(shù)參數(shù)
  • APT25GP90BDQ1G 功能描述:IGBT PT 900V 72A 417W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:管件 零件狀態(tài):Not For New Designs IGBT 類型:PT 電壓 - 集射極擊穿(最大值):900V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):72A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):110A 不同?Vge,Ic 時(shí)的?Vce(on):3.9V @ 15V,25A 功率 - 最大值:417W 開關(guān)能量:370μJ(關(guān)) 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:110nC 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:13ns/55ns 測(cè)試條件:600V,40A,4.3 歐姆,15V 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 [B] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT25GP120BG 功能描述:IGBT PT 1200V 69A 417W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:PT 電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):69A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):90A 不同?Vge,Ic 時(shí)的?Vce(on):3.9V @ 15V,25A 功率 - 最大值:417W 開關(guān)能量:500μJ(開),438μJ(關(guān)) 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:110nC 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:12ns/70ns 測(cè)試條件:600V,25A,5 歐姆,15V 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 [B] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT25GP120BDQ1G 功能描述:IGBT PT 1200V 69A 417W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:PT 電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):69A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):90A 不同?Vge,Ic 時(shí)的?Vce(on):3.9V @ 15V,25A 功率 - 最大值:417W 開關(guān)能量:500μJ(開),440μJ(關(guān)) 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:110nC 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:12ns/70ns 測(cè)試條件:600V,25A,5 歐姆,15V 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 [B] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT25GN120SG 功能描述:IGBT Trench Field Stop 1200V 67A 272W Surface Mount D3Pak 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場(chǎng)截止 電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):67A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):75A 不同?Vge,Ic 時(shí)的?Vce(on):2.1V @ 15V,25A 功率 - 最大值:272W 開關(guān)能量:- 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:155nC 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:22ns/280ns 測(cè)試條件:800V,25A,1 歐姆,15V 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):- 封裝/外殼:TO-268-3,D3Pak(2 引線+接片),TO-268AA 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:D3Pak 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT25GN120BG 功能描述:IGBT Trench Field Stop 1200V 67A 272W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場(chǎng)截止 電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):67A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):75A 不同?Vge,Ic 時(shí)的?Vce(on):2.1V @ 15V,25A 功率 - 最大值:272W 開關(guān)能量:2.15μJ(關(guān)) 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:155nC 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:22ns/280ns 測(cè)試條件:800V,25A,1 歐姆,15V 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 [B] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT25M100J APT25SM120B APT25SM120S APT26F120B2 APT26F120L APT26M100JCU2 APT26M100JCU3 APT27GA90BD15 APT27HZTR-G1 APT27ZTR-G1 APT28F60B APT28F60S APT28M120B2 APT28M120L APT29F100B2 APT29F100L APT29F80J APT2X100D100J
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